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【摘要编号】10975109/A050406
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liugh01(金币+4, 基金HEPI+1): 2011-01-27 16:41:29
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项目详情 项目编号 10975109 项目名称 一维ZnO纳米线的高选择性一氧化碳气敏传感器研究 项目类型 面上项目 申报学科1 离子注入及离子束材料改性(A050406) 申报学科2 离子注入及离子束材料改性(A050401) 研究性质 应用基础研究 资助金额 42.00万元 开始日期 2010年1月1日 完成日期 2012年12月31日 项目摘要 采用气相沉积法研制直径均一的超细ZnO纳米线阵列；通过离子注入等技术调控ZnO纳米线的电子浓度，从而控制ZnO纳米线的电阻率．研制ZnO纳米线阵列场电离气敏传感器，深入研究该器件对一氧化碳的选择性探测。利用氦离子对定向ZnO纳米线阵列顶部进行辐照微细加工，调制纳米线顶端形貌，降低场电离传感器的工作电压．另外，采用离子束辅助沉积在纳米线表面形成CuO纳米颗粒,研制经表面修饰的一维ZnO纳米线电阻型气敏传感器以提高材料的气敏能力和对气体的选择性，期望获得具有良好气敏特性的一维ZnO气体传感器，为其在安全，生产，化工和国防等领域的应用提供科学依据和技术支持。 获资助单位 武汉大学(项目负责人) |
2楼2011-01-27 12:16:48