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【摘要编号】60876040/F040303
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AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管的研究 |
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icwafer(金币+4, 基金HEPI+1): 谢谢 2011-01-21 17:09:46
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项目详情 项目编号 60876040 项目名称 AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管的研究 项目类型 面上项目 申报学科1 半导体光探测器(F040303) 申报学科2 半导体光探测器(F050206) 研究性质 应用基础研究 资助金额 32.00万元 开始日期 2009年1月1日 完成日期 2011年12月31日 项目摘要 紫外探测器在导弹预警及追踪，生化反应的早期检测,工业控制及火灾报警等方面有着广泛的应用。基于AlGaN材料的紫外探测器可通过调整Al组分实现"日盲"，从而降低背景噪声，省去长波长滤光片，具有成本低、体积小、量子效率高、抗辐照能力强、化学稳定性高等优点，被认为是最有发展前景的半导体紫外探测器件。本项目以制备高性能AlGaN日盲紫外雪崩光电二极管(APD)探测器为研究目的，拟从基础关键的外延生长技术着手，研究发展具有高度自主知识产权的、MOCVD法生长高品质AlN/sapphire模板、位错阻挡层的外延技术；并拟采取模拟计算与实验相结合的方法，获取AlGaN材料相关物理参数，创新设计日盲APD结构，为外延生长与器件工艺提供理论支撑；在此基础上，研究解决器件工艺中导致APD提前反向击穿、雪崩增益降低的关键难点问题，以期实现具有高雪崩增益(M>500)的AlGaN日盲APD的制备. 获资助单位 中山大学(项目负责人) |
2楼2011-01-21 16:56:02