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【交流】ＸＰＳ分峰问题求教 已有1人参与
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大家好。 我最近刚开始做XPS分析，有些不懂得地方，想请教各位。现行谢过了。 我主要做的是SiC的XPS分析。先用等离子进行表面氧化，所以表面的成分比较复杂。 通过戴维林老师指点我用XPS peak软件进行了一些初步的分析，但是对于这个软件有些不懂得地方。 首先是背景的选择，有三种选项。 其次是半幅值，这个分峰的时候所有的小峰都应该是一样的吗？ 然后就是%LG，这个怎么确定呢？我问过别人，有人说这个是由设备确定的，所以所有的峰都应该是一样的，请问是这样的吗？值该怎么确定啊？ 我通常都是分峰之后根据预想的表面可能存在的成分，查询数据库，然后对所有的峰进行整体的平移。这样对吗？有时候会出现一些峰对的上号，有的对不上。我应该怎么进行校正啊？ 我们学校没有老师知道我们做XPS测量，数据都是我们自己直接测的。 还望各位多多指教，谢谢了！ 下面是我自己做的分峰，但是我不是很确定其正确性，也请各位前辈指点。 其中，Si-O由于其氧化来源不同，键能可能不一样，这是不是合理啊？  |
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@你好
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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2楼2022-03-21 22:16:26
