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icwafer

金虫 (正式写手)

应助: 4 (幼儿园)
金币: 4887.5
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在线: 126.7小时
虫号: 89517

F040104

求助摘要的编号:

60906005//F040104

项目名称:

一种用于紫外探测器的新型ZnO基全氧化物透明异质结的制备与性能研究

项目类型:

面上

一种用于紫外探测器的新型ZnO基全氧化物透明异质结的制备与性能研究
2009年的。

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1楼 2011-01-16 16:57:52

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book2005593

主管区长 (文坛精英)

icwafer(金币+4, 基金HEPI+1): 谢谢 2011-01-16 19:58:51

项目编号 60906005
项目名称一种用于紫外探测器的新型ZnO基全氧化物透明异质结的制备与性能研究
项目类型青年科学基金项目
申报学科1 半导体异质结构和低维结构材料(F040104)
申报学科2 半导体异质结构和低维结构材料(F040103)
研究性质基础研究
资助金额 22.00万元
开始日期 2010年1月1日
完成日期 2012年12月31日
项目摘要我们已获得了紫外响应率良好的p-LiNiO/n-ZnO全氧化物透明异质结器件。ZnO与其它氧化物（如MgO, CdO, In2O3）的搀杂可有效改善合金薄膜的导电性能、禁带宽度及晶体结构，我们首次报道了电阻率小于10-2Ωcm的立方相InMgZnO三元搀杂薄膜，在充分利用ZnO高激子能量的同时实现薄膜的导电性能、带宽及晶体结构的可调。那么，可否实现紫外响应率同样优良的p-LiNiO/n-InMgZnO全透明异质结器件？本课题提出利用脉冲激光沉积的方法在晶格常数匹配的单晶衬底上外延生长全氧化物透明异质结p-LiNiO/n-InMgZnO器件，旨在验证器件在紫外探测器应用领域的可行性及高温可操控性，同时阐明离子搀杂对ZnO载流子浓度、禁带宽度以及异质结器件性能影响的机理，为更好的利用透明搀杂氧化物半导体以及氧化物光电器件的发展提供理论依据。
获资助单位中山大学(项目负责人)

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