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icwafer

金虫 (正式写手)

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[交流] 【摘要编号】61006010/F040104

求助摘要的编号:

61006010/F040104

项目名称:

透明氧化物半导体异质结特性的研究

项目类型:

面上

透明氧化物半导体异质结特性的研究

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1楼 2011-01-16 15:18:42

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book2005593

主管区长 (文坛精英)

icwafer(金币+4, 基金HEPI+1): 谢谢 2011-01-16 15:44:05

项目编号 61006010
项目名称透明氧化物半导体异质结特性的研究
项目类型青年科学基金项目
申报学科1 半导体异质结构和低维结构材料(F040104)
申报学科2 半导体异质结构和低维结构材料(F040103)
研究性质应用基础研究
资助金额 21.00万元
开始日期 2011年1月1日
完成日期 2013年12月31日
项目摘要透明氧化物半导体（TCO）PN结被认为是制作透明电子器件的重要发展方向。对同一TCO材料分别实现高效的n型和p型掺杂目前还没有一个很好的材料体系。这就要求根据不同材料的掺杂特性开展不同材料间异质结特性的研究，但现有TCO异质结存在着高透光性p型材料难以获得和异质结漏电流大的问题。本项目将以CuCrO2/ZnO异质结为对象，开展如下研究工作。首先采用脉冲激光沉积方法研制CuCrO2外延生长薄膜，通过Mg，Ca，Sr等共掺杂产生的离子半径补偿效应获得薄膜的高透过率和高导电性，研究不同掺杂材料和掺杂方式对CuCrO2薄膜光学（透射率）和电学性质（电导率）的影响，确定最佳掺杂方案来制备的优质p型CuCrO2薄膜。在此基础上，生长Al掺杂的ZnO薄膜，形成异质结结构，并结合原子层沉积方法在接触区插入高K材料的原子层，起到延缓异质结晶格畸变和阻断界面反应的作用，从而改善异质结的漏电特性。
获资助单位上海师范大学(项目负责人)

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