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icwafer

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[交流] 【摘要编号】51072181/E0209

求助摘要的编号:

51072181/E0209

项目名称:

均匀MgxNi1-xO固溶体的制备及其紫外探测性能研究

项目类型:

面上

均匀MgxNi1-xO固溶体的制备及其紫外探测性能研究

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1楼 2011-01-16 15:17:25

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book2005593

主管区长 (文坛精英)

icwafer(金币+4, 基金HEPI+1): 谢谢 2011-01-16 15:44:48

项目编号 51072181
项目名称均匀MgxNi1-xO固溶体的制备及其紫外探测性能研究
项目类型面上项目
申报学科1 半导体材料(E0209)
申报学科2 半导体材料(E0207)
研究性质应用基础研究
资助金额 39.00万元
开始日期 2011年1月1日
完成日期 2013年12月31日
项目摘要对MgxNi1-xO固溶体组分进行设计，通过掺入MgO对NiO进行能带调节，掌握Mg含量对MgxNi1-xO能带调节的规律，使其理论光吸收截止波长处于日盲紫外区240nm～280nm。采用脉冲激光沉积生长MgxNi1-xO薄膜，分析生长工艺条件对薄膜组织结构及光电性能的影响，揭示MgxNi1-xO薄膜能带结构对其光学吸收截止波长调制作用的机理，探明薄膜各种缺陷包括Mg含量的微区不均匀性对薄膜薄膜光电导的影响规律。选择合适的衬底或通过生长缓冲层减小晶格失配，改进靶材制作工艺，并采用后续热处理和快速退火等非平衡生长技术实现薄膜的真正固溶化，使薄膜组分均一，晶界密度和晶内缺陷较低，无其它杂质相或非晶相，提高薄膜的光电响应特性和紫外探测性能。同时，探索生长不同Mg组分的多层MgxNi1-xO异质结构，通过梯度组分分布在不同偏压下调节其在日盲紫外区的峰值响应，为多波段的紫外探测器的制备奠定基础。
获资助单位浙江大学(项目负责人)

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