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【摘要编号】60771057/F010509
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peihe2010(金币+4, 基金HEPI+1): 2011-01-13 11:07:37
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项目编号 60771057 项目名称 分子水平上铁电薄膜结构与性能的研究 项目类型 面上项目 申报学科1 量子、等离子体电子学(F010702) 申报学科2 量子、等离子体电子学(F0504) 研究性质 应用基础研究 资助金额 28.00万元 开始日期 2008年1月1日 完成日期 2010年12月31日 项目摘要 采用Langmuir-Blodgett（LB）技术生长P(VDF-TrFE)聚合物铁电薄膜，研究金属电极表面对P(VDF-TrFE)分子排列的诱导作用，分子层间的耦合、分子层空间排列与P(VDF-TrFE)结构、性能的关系，研究LB_P(VDF-TrFE)薄膜极化翻转动力学机制。通过研究，实现单分子层的薄膜生长；深入理解LB_P(VDF-TrFE)薄膜的奇特性能，建立分子层空间排列与薄膜晶体结构、畴结构、宏观性能的关系；实验与理论计算相结合，建立描述LB_P（VDF-TrFE）薄膜极化翻转的机制。 获资助单位 中国科学院上海技术物理研究所(项目负责人) |
2楼2011-01-13 09:44:39