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peihe2010(金币+4, 基金HEPI+1): 2011-01-13 08:42:11
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项目编号 61076002 项目名称 Eg可调的GaN系纳米薄膜的制备及其光电性能的理论计算 项目类型 面上项目 申报学科1 半导体异质结构和低维结构材料(F040104) 申报学科2 半导体异质结构和低维结构材料(F050205) 研究性质 应用基础研究 资助金额 35.00万元 开始日期 2011年1月1日 完成日期 2013年12月31日 项目摘要 鉴于GaN与InN、AlN及其相关合金半导体结合的二极管可以发射从紫外到可见以及近红外光，研究其薄膜的光电学性能对于探索它们在太阳能方面的应用具有极其重要的意义。本项目首先从理论上建立GaN、InN和AlN及其合金InxGa1-xN、AlxGa1-xN、(In,Al)GaN的纳米晶体模型，用第一性原理的密度泛函理论对相应纳米晶体进行计算，研究它们的能带结构和光电性能的关系。其次采用溶胶凝胶法分别制备出上述三种二元纳米薄膜，依据计算结果均匀掺杂入溶胶中合成上述三元四元禁带宽度Eg可调（0.7 eV ～6.2eV）的合金纳米薄膜，再掺入Si、Zn和Mg给溶胶中制备这些二元三元四元薄膜，并用多种测试手段进行表征，研究其光电性能，总结出工艺条件和配方对光电学性能影响的规律，得到优化的工艺参数和Eg的调节规律。结合理论和实验研究其电学、光学性能变化的机理，为其在相关大面积光伏器件的应用奠定基础。 获资助单位 西北大学(项目负责人) |
2楼2011-01-13 08:13:58