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芯片制造技术新突破 将会大幅提升处理器速度
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Intel在芯片技术开发上已经有超过30年的历史。现在，Intel又用实际行动捍卫了自己在研发上的领先地位。近日，Intel宣布自己在芯片研发技术上取得突破性进展，已经完成了对High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发。与目前使用广泛的CMOS晶体管相比，由于采用了新的材料High-K(高电介质)，High-K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%，因此High-K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快。另外，High-K(高电介质)金属门电路晶体管的损耗状况比传统的CMOS晶体管降低100倍，采用High-K(高电介质)金属门电路晶体管的处理器，在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。 据发言人说，此次新技术将很快运用于处理器的生产研发上。新技术会大幅降低处理器的成本，可以让摩尔定率能继续适用与芯片制造业。Intel同时透露，新的High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术会出现在2007年的处理器上，并配合Intel的45纳米制造工艺。 |
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