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dlthl

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[交流] 【求助】晶体结构4H-SiC参数

4H-SiC的结构参数是多少我想建模型我只知道空间群为 p63mc 晶格参数为0.3081 1.0093 。我想知道原子的坐标是多少

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1楼 2010-12-15 09:04:18

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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

★
ellsaking(金币+1):谢谢回帖交流 2010-12-15 19:29:03
dlthl(金币+2): 谢谢 2011-05-10 17:19:03

引用回帖:

Originally posted by dlthl at 2010-12-15 14:05:22:
我也不确定对不对我想问一下前面的 4H是什么

我也不太清楚，估计是4个原子，因为我看有6个原子的是6H

直接在icsd里搜索的

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4楼2010-12-15 14:42:42

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zzy870720z

荣誉版主 (文坛精英)

★ ★
cenwanglai(金币+2):谢谢提供！呵呵 2010-12-15 09:28:44
dlthl(金币+5):我看看对不对，对了再给你点钱呵呵 2010-12-15 13:57:15

CODE:

*data for   ICSD #24170

Coll Code   24170

Rec  Date   1980/01/01

Mod  Date   2007/08/01

Chem Name   Silicon Carbide - Alpha Iii

Structured  Si C

Sum         C1 Si1

ANX         AX

Min Name    Moissanite 4H

D(calc)     3.24

Title       Morphological and structural crystallography and optical properties 

            of silicon carbide (Si C)

Author(s)   Thibault, N.W.

Reference   American Mineralogist

            (1944), 29, 327-362

            Zeitschrift fuer Kristallographie, Kristallgeometrie, Kristallphysik, Kristallchemie (-144,1977)

            (1926), 63, 1-18

            Acta Crystallographica B (24,1968-38,1982)

            (1969), 25, 477-488

Unit Cell   3.073 3.073 10.053 90. 90. 120.

Vol         82.22

Z           4

Space Group P 63 m c

SG Number   186

Cryst Sys   hexagonal

Pearson     hP8

Wyckoff     b2 a2

Red Cell    P  3.073 3.073 10.053 90 90 120 82.215

Trans Red   1.000 0.000 0.000 / 0.000 1.000 0.000 / 0.000 0.000 1.000

Comments    Zhdanov-symbol:  (2 2)

            Cell from 4th ref. (Bauer et al:): 3.08051(6), 10.08480(4); 

            minor deviations from ideal positions

            AE: Si: 4t C4; C: 4t Si4

            Compound with mineral name: Moissanite 4H

            The structure has been assigned a PDF number (calculated 

            powder diffraction data): 01-073-1664

            The structure has been assigned a PDF number (experimental 

            powder diffraction data): 24-1127

            Structure type prototype : SiC(4H)

            Structure type : SiC(4H)

            X-ray diffraction from single crystal 

            No R value given in the paper.

            At least one temperature factor missing in the paper.

Atom  #   OX   SITE      x           y           z           SOF      H 

 Si   1  +4    2 a   0           0           0.188          1.         0    

 Si   2  +4    2 b   0.3333      -.3333      0.438          1.         0    

 C    1  -4    2 a   0           0           0              1.         0    

 C    2  -4    2 b   0.3333      -.3333      0.25           1.         0    

*end for    ICSD #24170