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【转帖】三星主题演讲：“通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺” 已有1人参与
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三星主题演讲：“通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺” 2010/12/09 00:00 打印 E-mail  NAND闪存单元技术的发展（点击放大） “硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”于2010年12月6日在美国旧金山开幕，韩国三星尖端技术研究所（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）所长Kinam Kim在整场演讲中率先上台，充满自信地发表了本文开篇那番话。 在DRAM和NAND闪存等方面，目前正在探讨伴随制造技术微细化而出现的多种技术课题。Kim呼吁与会人士必须勇敢面对这些课题，并在今后通过导入多种新技术来加以克服。 在不少人认为难以微细化至20nm以下工艺的DRAM方面，Kim表示2010～2015年，在4F2构造存储器单元、硅贯通电极（TSV）以及DRAM芯片上集成光输入输出电路等将取得进展。并预计接下来在2020年以后，通过自旋存储器（Spin-Based Memory）技术的实用化，大容量随机存储器将继续取得进步。 在有人认为现有浮栅构造同样会在20nm工艺前后出现微细化极限的NAND闪存方面，Kim介绍了旨在打破极限的技术开发工作。首先，要想实现相当于20nm以下工艺的高集成化，就必须导入三维单元积层技术。Kim表示，由此“可以利用旧几代的制造技术，实现与普通二维单元微细化至10nm以下工艺范围时相当的高集成度”。 Kim指出，2015年以后作为三维NAND闪存的后续产品，主角将有可能转为采用氧化物材料等的新型非易失性存储器。Kim高度评价了ReRAM的前景，认为“后NAND闪存的最有力候补是ReRAM。另外，在新一代通用存储器（Universal Mmemory）中最有希望的估计还是ReRAM”。（记者：大石 基之） ■日文原文 【IEDM】「新技術の導入でSi CMOSは10nm未満の世代に延長できる」，Samsungが基調講演で語る |
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