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英特尔和美光发布25nm工艺64Gbit MLC NAND闪存，“在量产品中为最小单元面积”
2010/12/09 00:00
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试制的25nm工艺64Gbit MLC NAND闪存（点击放大）

在字线间使用Airgap（图中白色部分即为Airgap）（点击放大）　　美国英特尔和美光科技利用25nm工艺技术制造的64Gbit MLC（Multi Level Cell）NAND闪存（论文编号：5.2）在“IEDM 2010”上发布。芯片面积为167mm2，两公司称“小得能够封入业界标准封装TSOP中”。bit密度为4.8GB/cm2，比英特尔美光联盟的34nm工艺32Gbit产品提高了约103％。存储单元面积为0.0028μm2，“在目前量产的NAND闪存中为业界最小”（两公司）。
　　此次发布的芯片所使用的技术中，引人注目的是Airgap技术。NAND闪存随着存储单元面积的缩小，相邻字线间的电容增大，导致存储单元的阈值电压发生变动的现象日益突出。该问题是阻碍微细化发展的主要原因，每一代工艺都需要寻找对策。此次英特尔美光联盟通过在相邻字线间导入Airgap，将字线间的电容降低了约30％。另外，Airgap还可在位线间使用。
　　在制造芯片上，曝光技术采用了液浸二次图形曝光技术。NAND串由64个有源单元和2个虚拟单元（配置在选择栅极旁的单元）共66个单元构成。
　　英特尔美光联盟在25nm工艺的代表性产品，即2Xnm工艺NAND闪存的量产上率先展开了行动。而且，在2Xnm工艺品占全部产量的比例上，两公司在包括韩国三星电子及东芝在内的NAND闪存大厂商中也明显较高。此次的发布正是这一趋势的代表。（记者：大石基之）
■日文原文
【IEDM】Intel·Micronが25nm世代の64GビットMLC NANDフラッシュ発表，「量産品で最小のセル面積を達成」

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