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【求助】请教金电极上铜欠电位沉积问题
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chemyl8868
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虫号: 754007
[交流]
【求助】请教金电极上铜欠电位沉积问题
为确定干净的金电极表面积,我做了欠电位沉积铜实验。
溶液:0.2M CuSO4/0.1M H2SO4;参比电极 Ag/AgCl
参数:init=0.6 V, high =0.6 V, Low =0.1 V
请教各位:
1. 扫描速度一般设成多少呢?我看文献用100V/s扫, 但曲线噪音特别大。
2. 要算欠电位沉积峰的积分电量,这里沉积峰是指还原峰的积分电量吗?积分区间就是0.1~0.6?
3. 我扫了4 segment,要取两圈积分电量的平均值,还是某个segment呢?
谢谢您回答~~
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2010-11-17 23:02:41
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chemyl8868
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8楼
:
Originally posted by
小毛球
at 2014-06-16 09:04:25
欠电位沉积和电沉积不是一个概念。。。所以扫了4个segment可能不仅仅是欠电位沉积了,可能也有电化学沉积在里面。定点量适用CuUPD的氧化溶出电量吧,不是还原的
谢谢回复,受益啦
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9楼
2014-06-20 09:08:54
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chemyl8868
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没人回复呢,自己顶一下吧。
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2楼
2010-11-18 21:01:20
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zengjiaha
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chemyl8868(金币+2):谢谢你,请问扫速慢了会不会使欠电位沉积的铜就不是单层了呢? 2010-11-18 22:25:33
1.噪音大可以吧扫速增加到200mv
2.积分电量的从电流增大,也就是反应开始时算起到电流回到基线
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3楼
2010-11-18 22:13:46
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zengjiaha
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chemyl8868(金币+1):好,谢谢你 2010-11-20 10:34:36
这个我不清楚,你可查阅这方面的文献,看看别人的实验条件。扫速增大,峰值电流会增大,反应的可逆性也会下降,过电势也会增大
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4楼
2010-11-19 22:38:18
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