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[交流]
【求助】光电子能谱图的分析
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想问下大家那个X射线光电子能谱图是怎么分析的，横坐标electron binding energy 和纵坐标photoelectron idensity 分别代表什么意思，从图中我们能得到哪样的一些信息呢，最好能附个图解释一下。下面就是个光电子能谱图：  如果大家的回答比较的详细，一次送5个金币，如果比较完美，十个金币全部送出！  |
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小木虫:)(金币+3):3q 2011-01-05 02:57:45
小木虫:)(金币+3):3q 2011-01-05 02:57:45
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横坐标electron binding energy 是指结合能。 纵坐标photoelectron idensity 是指探测到的光电子密度，就是强度。 原理：材料经由带有能量的X光照射后形成光电效应，将内层轨域的电子激发产生光电子，只有在样品表面所产生的光电子才能脱逸出而被测得，此被激发的光电子经侦检器分析后，可测得光电子束缚能的能谱，由于不同元素、不同轨域所产生的光电子束缚能不同，所以可由束缚能得知此光电子来自于哪一种元素的哪一层轨域。当元素与不同元素键结时，由于键结的电荷密度不同会导致光电子束缚能有些许改变，当氧化态越高其束缚能越高，可由此束缚能的改变得知其化学键结。 主要用途：表面组成分析，化学状态分析，成分的深度分析 |
5楼2011-01-01 10:49:59
2楼2010-11-16 11:25:11
3楼2010-11-19 21:11:14
