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【求助】vasp检验Ti的赝势kpoint如何设置 已有7人参与
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大家好，新手请教一个问题。 vasp中检验Ti的赝势，结果不合理。OUTCAR中有个很大的warning，提示我看了下是说k点有问题。之前看手册上说对于单个原子只用一个k点就可以，我测试过O、H等都没问题，可是对于Ti来说好像有问题，请教大家应该怎么办？ 我的输入文件如下 INCAR： SYSTEM=Ti MELMDL=5 ISMEAR=0 SIGMA=0.1 POS： Ti 15 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 Direct 0.00000 0.00000 0.00000 K： Automatic mesh 0 Gamma 1 1 1 0 0 0 POT是用的vasp自带的PAW_PBE中的Ti OUTCAR中的结果energy without entropy= -0.988815 ，不合理。 另外有个很大的警告：Your highest band is occupied at some k-points! Unless you are | | performing a calculation for an insulator or semiconductor, without | | unoccupied bands, you have included TOO FEW BANDS!! Please increase | | the parameter NBANDS in file 'INCAR' to ensure that the highest band | | is unoccupied at all k-points. It is always recommended that one | | include a few unoccupied bands to accellerate the convergence of | | molecular dynamics runs (even for insulators or semiconductors) | | Because the presence of unoccupied bands improves wavefunction | | prediction, and helps to suppress 'band-crossings.' | | Following all k-points will be listed (with the Fermi weights of | | the highest band given in paranthesis) ... : | | | | 1 ( 0.14237) | | | | The total occupancy of band no. 9 is 0.28474 electrons ... | | | 还有个小的警告：936: WARNING: grid for Broyden might be to small 这是vasp自带的赝势，怎么会有问题呢，如果真有问题，那接下来还怎么继续做下去啊。请大家帮忙分析一下啊！谢谢各位！ [ Last edited by 缺心眼桌 on 2010-10-19 at 14:30 ] |
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navyzhang
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