| 查看: 2156 | 回复: 1 | ||||
Ilovenewyork铜虫 (小有名气)
|
[交流]
【求助】带电团簇在vasp中ICHARGE的设置
|
|
我想计算一个缺陷晶体的DOS性质，该缺陷使得团簇带比如说两个电子的电量。请问这个模型可行么？ 在vasp中如何实现，是通过改变ICHARGE的设置么？ 多谢！ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 杂七杂八 |
» 猜你喜欢
救命帖
已经有6人回复
-
存款400万可以在学校里躺平吗
已经有37人回复
-
英文综述是否需要润色及查重
已经有5人回复
-
限项规定
已经有5人回复
-
为什么nbs上溴 没有产物点出现呢
已经有9人回复
-
招博士
已经有3人回复
-
最失望的一年
已经有18人回复
cenwanglai
荣誉版主 (知名作家)
老和山猥琐派九段
- 1ST强帖: 5
- 应助: 46 (小学生)
- 贵宾: 8.842
- 金币: 7440.4
- 散金: 9654
- 红花: 118
- 沙发: 23
- 帖子: 5306
- 在线: 1961.4小时
- 虫号: 537452
- 注册: 2008-04-01
- 性别: GG
- 专业: 理论和计算化学
- 管辖: 仿真模拟
2楼2010-09-28 08:30:51