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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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houlucky

实习版主

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[交流] 【求助】无压烧结碳化硅陶瓷应该怎么制备呀 已有6人参与

最近想做个课题,无压烧结碳化硅陶瓷制备,不知道该怎么做,希望各位虫虫指点
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fangbj

主管区长

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enquan123(金币+1):鼓励交流!! 2010-10-12 22:15:41
真空烧结吧,不需要加压的,石墨加热炉,1600度可以得到比较致密的陶瓷。
8楼2010-10-10 18:12:50
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minstrels

版主

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418783132(金币+1):鼓励交流 2010-09-29 21:22:42
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 14:23:29
试试无压两步烧结法吧,不过估计有困难,因为碳化硅自身扩散系数较低,这也是所有无压烧结法所面临的问题。如果不行就只有原位合成了。
4楼2010-09-29 21:11:31
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chenchang420

版主

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★ ★
csuhcb2000(金币+2):欢迎交流,专业啊 2010-09-30 14:01:24
houlucky(金币+15):我想做致密的,现在没现成工艺 2010-10-04 14:02:09
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:42
首先你要明确你是做多孔的还是致密的碳化硅材料。

如果做多孔的话,就用无压烧结方法,当然需要加上烧结助剂。比如氧化钇等。这方面的文献很多。

如果做致密的话,可以用无压烧结,就是要看用什么烧结助剂和你的工艺问题了。也可以用无压反应烧结,利用反应放热来促进材料致密。举个例子,SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触,坯体中的C与渗入的Si反应,生成β-SiC,并与α-SiC相结合,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。
路曼曼其修远兮,吾将上下而求索。
5楼2010-09-30 10:58:38
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dinosaur85

版主

六根未净,尘缘未了

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418783132(金币+1):鼓励交流 2010-09-30 21:55:27
houlucky(金币+5):我们设备只能到1900度,所以只能加助剂 2010-10-04 14:03:15
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:46
无压烧结,分加入烧结助剂与否,加入的一般添加氧化铝和氧化钇,可在1900左右烧成,是液相烧结;不加的呢,就是直接加入成型剂,碳粉或者石墨,再加点增加强度的原料,造粒,干压成型,烧结,估计要2100度多一点吧,也有反应烧结的,也是无压,是直接加硅粉
人生不过生与死,世事不过得与失
6楼2010-09-30 15:16:01
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