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houlucky木虫 (正式写手)
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【求助】无压烧结碳化硅陶瓷应该怎么制备呀 已有6人参与
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最近想做个课题,无压烧结碳化硅陶瓷制备,不知道该怎么做,希望各位虫虫指点 |
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售SCI文章,我:8O5.5.1.O.54,科目齐全,可+急
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13楼2012-02-16 18:50:27
minstrels
铁杆木虫 (著名写手)
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4楼2010-09-29 21:11:31
chenchang420
木虫 (小有名气)
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csuhcb2000(金币+2):欢迎交流,专业啊 2010-09-30 14:01:24
houlucky(金币+15):我想做致密的,现在没现成工艺 2010-10-04 14:02:09
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:42
csuhcb2000(金币+2):欢迎交流,专业啊 2010-09-30 14:01:24
houlucky(金币+15):我想做致密的,现在没现成工艺 2010-10-04 14:02:09
zhangquan8385: 回帖置顶 2012-01-22 13:26:42
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首先你要明确你是做多孔的还是致密的碳化硅材料。 如果做多孔的话,就用无压烧结方法,当然需要加上烧结助剂。比如氧化钇等。这方面的文献很多。 如果做致密的话,可以用无压烧结,就是要看用什么烧结助剂和你的工艺问题了。也可以用无压反应烧结,利用反应放热来促进材料致密。举个例子,SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为:先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀,经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触,坯体中的C与渗入的Si反应,生成β-SiC,并与α-SiC相结合,过量的Si填充于气孔,从而得到无孔致密的反应烧结体。 |

5楼2010-09-30 10:58:38
dinosaur85
木虫 (正式写手)
六根未净,尘缘未了
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6楼2010-09-30 15:16:01










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