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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 催化反应 » 【讨论】半导体SiC的禁带宽度也适合光解水，怎么没有见相关的文献报道啊？求解中。。�
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by zhangpeng8374 at 2010-09-29 18:24:27:
是的，碳化硅的光催化降解有机物的效率也不是很高，可以考虑修饰改善。氧化和还原是同一事物的两个方面，电子和空穴也是相应而生的，空穴可以氧化有机物，那么电子就会有相应的还原能力。

你好！能讲一下碳化硅光降解效率为什么不高吗？
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21楼2010-09-30 08:29:19
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zhangpeng8374

木虫 (正式写手)

研发工程师
你好，关于这个问题，你可以参考一下天津大学高艳婷的硕士论文
《碳化硅可见光下光催化性能的研究》它里面的参考文献你可以借鉴一下，再在数据库里面搜两片比较新的文献，就可以初步解释。
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我站在熟悉的地方，默数自己的罪状，忘掉宿命，忘掉宿命……
22楼2010-10-04 00:32:20
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7zzz

铜虫 (小有名气)
★
杨静静(金币+1):谢谢参与
估计是因为没有TiO2 效率高吧
而且不如P25好买到？？
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23楼2010-10-04 17:40:56
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7zzz

铜虫 (小有名气)
SiC的价带导带位置都非常的高，而且带隙也挺宽的
激发这样的半导体应该需要很高的能量 可见光几乎不激发 是不是因为这个原因研究的少？
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24楼2010-10-04 20:16:53
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 7zzz at 2010-10-04 20:16:53:
SiC的价带导带位置都非常的高，而且带隙也挺宽的
激发这样的半导体应该需要很高的能量 可见光几乎不激发 是不是因为这个原因研究的少？

SiC的带隙是3.0ev，而TiO2是3.2ev，而且其导带和价带的位置也是适合光解水的，我想也许不是这个原因，前面有人提到的可能是因为SiC是间接带隙半导体，光生电子的激发需要更大的能量，我个人觉得这个理由可能更充分些，欢迎你继续讨论。
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25楼2010-10-05 20:39:12
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7zzz

铜虫 (小有名气)
刚看文献看到的，原因是因为光腐蚀，可能是激发的电子能量太高了吧。

原文
However, most of the semiconductors, such as
CdS and SiC, that cause photocorrosion, are not suitable for water-splitting

Ni, M., M. K. H. Leung, et al. (2007). "A review and recent developments in photocatalytic water-splitting using TiO2 for hydrogen production." Renewable & Sustainable Energy Reviews 11(3): 401-425.
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26楼2010-10-10 09:51:52
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杨静静

金虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by 7zzz at 2010-10-10 09:51:52:
刚看文献看到的，原因是因为光腐蚀，可能是激发的电子能量太高了吧。

原文
However, most of the semiconductors, such as
CdS and SiC, that cause photocorrosion, are not suitable for water-splitting
...

非常感谢你，我先找这篇文献看看。
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27楼2010-10-10 11:02:24
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杨静静

金虫 (小有名气)
自己顶一下！大家帮帮忙哈！
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28楼2010-10-29 13:03:58
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buyuyuqust

木虫 (正式写手)
★
杨静静(金币+1):谢谢参与
主要有两个原因，一是碳化硅是间接半导体，在中间能级跃迁过程中有能量损失；二是碳化硅体相中电子迁移效率非常低，光致电子空穴寿命短，容易复合。
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29楼2012-02-25 18:11:01
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呓语

木虫 (小有名气)
★
杨静静(金币+1):谢谢参与
送鲜花一朵
最近也在关注SiC方面，但文献所提到的合成都是条件相对复杂的方法，有没有相对简单一点，容易达到的条件？顺便求一些相关的文献，关于光催化产氢，光降解的都可以，求指教~
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30楼2012-03-01 10:39:32
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