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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【求助】半导体（如Si）表面耗尽层厚度计算
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shaolong_wu

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】半导体（如Si）表面耗尽层厚度计算

各位好，近看文献有关于半导体表面耗尽层厚度（depletion space charge layers)的问题，但不知道这个厚度如何计算啊，与哪些因素有关。
我知道《半导体物理学》书中有有关于PN结中耗尽层的讨论，但对于纯粹N型或p型半导体，这个厚度怎计算啊（主要对于纳米半导体中，这个耗尽层的厚度与其直径大小的比较。
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做好大部分时间都可能是浪费的准备！
1楼 2010-09-25 17:21:04
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jshine

至尊木虫 (著名写手)
shaolong_wu(金币+1):谢谢你的讨论，但这应该从半导体物理学角度来考虑吧，你所说我不懂… 2010-09-26 08:20:42
把其中多子当做自由气体，考虑热学里面实际气体实际压强修正公式里面的方法行吗，不是研究这个的，纯属猜测
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事态为什么炎凉，我们社会需要什么
2楼2010-09-25 17:31:02
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ask123h

木虫 (小有名气)
类似于金半接触的计算公式
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3楼2010-10-06 09:22:19
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