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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

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zzy870720z(金币+1):谢谢补充 2010-09-14 19:44:30
引用回帖:
Originally posted by fzx2008 at 2010-09-14 09:59:58:
接上问:

拿CaO来讲,O空位计算(单纯缺陷,supercell后直接去掉一个原子即可)和 F center计算(阴离子空位束缚一个电子)有没有什么不同?两者一样么?

很显然,你的问题中就指出了区别,第一个就是中性态的O空位(空位附近局域了2个电子),第二个是正一价的氧空位(空位附近局域了一个电子)。
11楼2010-09-14 19:15:42
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vaspstudy

银虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by valenhou001 at 2010-09-14 19:12:59:
前面我以前提到了,S.B.Zhang的两篇文章中提到的电中性的两个公式中N_{xx}所表示含义不同。
比如第一个公式里面的N_c表示的导带底的态密度。N_v表示的价带顶的态密度,这些在他的文章中都提到了的。

第二个公 ...

N_{xx}的含义我是懂的,我是不懂公式的整体,为什么缺陷电荷密度+电子密度-空穴密度会=有效掺杂浓度,对这个电中性的说明我不是很理解,我不是要问细节的东西
12楼2010-09-14 19:19:33
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
aylayl08(金币+1):谢谢指教 2010-09-15 15:54:33
"缺陷电荷密度+电子密度-空穴密度会=有效掺杂浓度"这个应该从半导体物理的书中找理解了。
13楼2010-09-15 12:33:10
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