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【请教】AlGaN/GaN 光快速退火
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大家好： 我先把我遇到的问题说一下： 这边用的退火炉是日本的MILA5000, 文献上报道的AlGaN/GaN退火条件一般为850°C， 30s左右。但这台仪器存在几个问题，一，由于这台仪器是靠红外光加热的，然后就存在热电偶与AlGaN/GaN片子吸光率不一样的情况，最终导致显示的温度与AlGaN/GaN片子的温度有差别。二，同一个片子，距离热电偶近的地方与远的地方的退火效果差别很大。 在这里想请教高人，怎么才能解决退火不均匀性的问题。 非常感谢！！！ PS：退火是在流动的氮气氛围中进行的。 |
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如果在底下垫上陶瓷板温度会不会均匀一些 
2楼2010-08-29 20:01:28
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