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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 统计、非线性&软物质 » 【求助】半导体的能带特征
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改王之王

金虫 (正式写手)
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
同意LS的…………半导体的带隙一般在0.1到2ev左右…………
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11楼2010-09-07 11:58:20
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275854279

木虫 (正式写手)

显示屏
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夕阳西下(金币+1):谢谢回帖 2010-09-08 10:39:19
引用回帖:
Originally posted by 改王之王 at 2010-09-07 11:58:20:
同意LS的…………半导体的带隙一般在0.1到2ev左右…………

其实随着化合物半导体的出现，半导体的能带已经被大大扩展了，像紫外led AlGaN二极管激光器，它的能带理论上最高可以到6ev。

一般来说现在3-4ev的蓝光，紫外光半导体用的比较多一些。

我记得有本书上说半导体和绝缘体是以10ev为界或者电阻率是多少欧姆为界的，具体不是很清楚了。
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了却君王天下事，赢得青楼薄幸名。
12楼2010-09-07 22:15:10
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改王之王

金虫 (正式写手)
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引用回帖:
Originally posted by 275854279 at 2010-09-07 22:15:10:

其实随着化合物半导体的出现，半导体的能带已经被大大扩展了，像紫外led AlGaN二极管激光器，它的能带理论上最高可以到6ev。

一般来说现在3-4ev的蓝光，紫外光半导体用的比较多一些。

我记得有本书上说半 ...

看来光看课本也不行…………还要注意前沿动态呀…………呵呵
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13楼2010-09-08 10:52:17
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lwrobinson

铁杆木虫 (著名写手)
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4.8.9楼说的蛮好
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14楼2010-09-21 14:02:23
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