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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】为什么高K材料K值越高，禁带宽度越小？
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diamondfire

木虫 (正式写手)

[交流] 【交流】为什么高K材料K值越高，禁带宽度越小？ 已有7人参与

为什么复介电常数k高的材料，禁带普遍窄？
请赐教。

[ Last edited by diamondfire on 2010-6-29 at 02:45 ]
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
1楼 2010-06-28 16:32:57
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GrasaVampiro

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★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
不知道你的举的例子的普遍性如何，根据我的理解，高K材料是用于绝缘层尽可能防止电子隧穿引起的漏电流，而且K值越高，绝缘效果越好，所以这个K值与电子输运有关
而Eg是材料光学跃迁难易的参数，
K和Eg的直接关系，难说
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从此不问江湖事
7楼2010-06-28 23:48:06
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)

微信XGBerlin

优秀版主
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
你先举个例子，哪种材料？
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从此不问江湖事
2楼2010-06-28 17:25:27
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GrasaVampiro

专家顾问 (职业作家)

微信XGBerlin

优秀版主
★ ★
小木虫:)(金币+2):3q 2010-06-28 18:31:42
一个极端的反例，金属，复介电常数高，因为其耗散大，虚部大，但金属有禁带吗？
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从此不问江湖事
3楼2010-06-28 17:27:25
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diamondfire

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by GrasaVampiro at 2010-06-28 17:25:27:
你先举个例子，哪种材料？

谢谢你的解答。
那么换种说法，直接比较介电常数的实部：

SiO2（k=3.9 Eg=8.9eV)
Al2O3 (k=10, Eg=8.5eV)
ZrO2 (k=20, Eg=6eV)
HfO2 (k=24, Eg=5.6eV)
BaO (k=32, Eg=4eV)
TiO2 (k=58, Eg=3.2eV)

这其中必然存在某种联系，想听听你的见解。
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再烦，也别忘微笑；再急，也要注意语气；再苦，也别忘坚持；再累，也要爱自己。低调做人，你会一次比一次稳健；高调做事，你会一次比一次优秀。
4楼2010-06-28 22:12:22
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