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dwkang1222

铁杆木虫 (小有名气)

[交流] 【求助】如何从计算入手来研究硅中杂质行为? 已有4人参与

大家好,老板给我改方向了,做硅中杂质的行为研究,主要研究掺杂硅中的缺陷、位错等对电学、光学等性能的影响。考虑到没什么实验条件,所以我打算用模拟计算来做。以前对计算有所了解,但马上就三年级了,实在没什么时间细细查,也没有人指导,只能来此求助!
    如何从计算入手来研究硅中杂质行为?做此类研究采用哪种软件、工具包?做此类研究采用哪种计算方法?最近5年几乎没有体硅材料的计算,希望各位推荐几篇文献和书籍,相关群、网站也行!计算量大吗?我自己掏钱买的4核4G电脑来算。。。
    欢迎各位XDJM前来指导帮助我,我需要个总体方向,好静下心抓紧时间学学,再次感谢!



大家的建议和老板说了,老板同意只要硅相关的计算就行,我查了相关文献,好像有些做硅纳米线的,感觉硅纳米线实验上很难实现,相关的实验结果也少,不知道还能能做下去,各位XDJM有更好的建议吗?

[ Last edited by dwkang1222 on 2010-6-24 at 13:25 ]
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condensed

木虫 (著名写手)

★ ★
dwkang1222(金币+3):谢谢! 2010-06-23 09:56:49
hometownlove(金币+2):谢谢交流 2010-06-23 13:18:20
哇.对于掺杂,现在的计算方法分为两大类.一是虚晶近似;二是建一个supercell,然后从里面随机的替换/拿掉原子.你要模拟的是Si的缺陷和位错只能建一个supercell,然后再把supercell的局域结构进行调整从而打到与实验接近的情况.这个用VASP,pwscf,abinit都可以做.但很遗憾的是,这个需要强劲的计算资源.
2楼2010-06-23 09:51:46
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wwgaochao

铜虫 (正式写手)


dwkang1222(金币+2):谢谢支持! 2010-06-23 11:46:51
hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-23 13:18:34
引用回帖:
Originally posted by dwkang1222 at 2010-06-23 09:38:13:
大家好,老板给我改方向了,做硅中杂质的行为研究,主要研究掺杂硅中的缺陷、位错等对电学、光学等性能的影响。考虑到没什么实验条件,所以我打算用模拟计算来做。以前对计算有所了解,但马上就三年级了, ...

我也是做体硅中的的杂质和缺陷研究的,也是刚刚要学习材料计算,和你一样的一头雾水,不过这里大牛很多,多多向他们学习,会有进步的
3楼2010-06-23 10:58:35
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y1ding

铁杆木虫 (著名写手)


hometownlove(金币+1):谢谢交流 2010-06-23 13:18:49
dwkang1222(金币+2):谢谢提醒! 2010-06-23 14:48:03
我觉得你的计算条件完全不行。
我们这边算这类掺杂体系,基本上是64核+256G内存的服务器。你的估计算起来根本不行
4楼2010-06-23 13:15:22
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beyondstar

木虫 (正式写手)

dwkang1222(金币+1): 2010-06-23 17:00:08
估计这个方向已经被很多很多人干过了。。。我猜
5楼2010-06-23 15:05:59
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franch

版主 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖
关注下下。。嘿嘿
遇弱则弱
6楼2011-05-05 21:04:41
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