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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 无机非金属 » 前沿热点 » 【求助】单质硅在空气下生成二氧化硅的温度
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peixl999

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】单质硅在空气下生成二氧化硅的温度 已有6人参与

各位虫友：
      小弟想问下，单质硅在空气下生成二氧化硅的温度大概是多少，谢谢了
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越努力越幸运
1楼 2010-05-29 21:53:38
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jzsunjia

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
楼主有答案了吗（单质硅在空气下生成二氧化硅的温度）？！很想参考！！
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6楼2013-01-06 20:35:51
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tjumark

金虫 (著名写手)
★
csuhcb2000(金币+1):学习了。谢谢交流 2010-05-30 09:33:46
peixl999(金币+2): 2010-05-30 10:00:05
我记得SiO的挥发温度大约在1100度左右，SiO继续氧化可以变为SiO2
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知足常乐，奋斗不息。
2楼2010-05-29 23:48:23
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qijianqi

木虫 (正式写手)
★
化学小工(金币+1):好象是的，鼓励交流 2010-05-31 23:46:07
peixl999(金币+1): 2010-06-01 04:15:57
一般是湿法氧化吧
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3楼2010-05-31 22:36:28
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ftfxiaoyu

木虫 (正式写手)
peixl999(金币+2): 2010-06-03 16:37:59
常温即可生成很薄的氧化层 纳米量级厚度
从理论上讲，任何温度都会发生反应，反应速率随温度随温度指数变化
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4楼2010-06-03 13:49:38
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