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laohaoren2802

银虫 (正式写手)

[交流] 【求助】低浓度掺杂 已有6人参与

在做钙钛矿结构BaTiO3的掺杂时,构造了一个5*5*8的超胞(BaTi1-xMxO3)200,共1000个原子。用一个M原子替换其中的Ti原子,掺杂浓度为1/200=0.5%。浓度很低了,在用MS计算时,提交任务后不进行计算就终止了,也没错误提示。我的参数设置大概为:截断能=420eV,k-point:6*6*6。请问是不是参数设置的问题,能不能提供低浓度掺杂相关的参考文献。谢谢!
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laohaoren2802

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by acridine at 2010-05-26 01:22:13:
你再仔细看看原文中的方法,感觉应该是用虚晶近似实现的这个浓度吧

能否给出虚晶近似的参考文献?谢谢
9楼2010-05-26 09:56:10
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锐利的碎片

木虫 (正式写手)

star watcher

laohaoren2802(金币+1):谢谢 2010-05-25 22:47:46
1000个原子,你用什么机器算的。
3楼2010-05-25 18:51:15
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wuli8

荣誉版主 (知名作家)

…………

优秀版主优秀版主

laohaoren2802(金币+3):谢谢 2010-05-25 22:48:19
引用回帖:
Originally posted by laohaoren2802 at 2010-05-25 11:17:22:
在做钙钛矿结构BaTiO3的掺杂时,构造了一个5*5*8的超胞(BaTi1-xMxO3)200,共1000个原子。用一个M原子替换其中的Ti原子,掺杂浓度为1/200=0.5%。浓度很低了,在用MS计算时,提交任务后不进行计算就终止了,也没错 ...

你太傻,太天真了。

建议楼主看看关于第一性原理的基本概念。

你的计算量和原子数成几何级的增长。


1000个原子要1000w左右的集群也不一定能搞定
…………
4楼2010-05-25 19:50:22
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laohaoren2802

银虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by wuli8 at 2010-05-25 19:50:22:

你太傻,太天真了。

建议楼主看看关于第一性原理的基本概念。

你的计算量和原子数成几何级的增长。


1000个原子要1000w左右的集群也不一定能搞定

难道是我理解错了?在文献中的原文是这样的:掺杂过渡金属(如Nb、Sr、La、Mn、Ni)的BaTiO3。得到PTC半导体的施主掺杂浓度的范围为:0.4—0.5 mol%。超出范围,最后得到的结果是绝缘体。
想做掺杂浓度为0.5 mol%的情况试试。掺杂浓度为0.5 mol%该建多大的超胞呢?还是谢谢给予批评和建议。

[ Last edited by laohaoren2802 on 2010-5-25 at 22:43 ]
5楼2010-05-25 22:41:48
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