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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助成功】从原胞到表面吸附结构,一套完整的计算,怎么规划优化?
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kgdu

金虫 (正式写手)
cenwanglai(金币+3):好好学习,有什么体会和进步就来小木虫分享吧,呵呵 2010-05-25 08:35:50
引用回帖:
Originally posted by lono75 at 2010-05-24 21:08:58:
两个不是一回事

EDIFF是取某一个Ecut时,电子自洽迭代时,相邻两次的能量差,达到此值时,ION动一下,ION步对应EDIFFG,.....

ΔEi<0.001eV/atom for different Ecut

电子迭代的ΔEi->EDIFF not the ΔE ...

谢谢了，现在有标准了，多谢指点
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11楼2010-05-24 21:29:27
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cenwanglai

荣誉版主 (知名作家)

老和山猥琐派九段

优秀版主
★
zzy870720z(金币+1):谢谢提供 2010-05-26 17:53:07
RCS期刊,2010第一期csfn的<平面波计算方法中截断能,K点,以及晶格参数的确定>可提供开始深入计算前的参数测试参考.
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12楼2010-05-26 15:17:45
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sungjen

银虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
请问你这个到底是算什么的，第一步说的建模是在优化好的晶胞基础上建表面模型？那么以后几步包括优化以及参数册数都是表面模型基础上还是单胞上测试的？？？
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希望有一天成为大神
13楼2014-04-23 10:12:08
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