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weiping3853

铜虫 (初入文坛)

[交流] 关于ZnO掺Al 出现ZnAl2O4相 急用 谢谢!

我做的ZnO掺Al ,XRD测试结果表明有两相:ZnO和ZnAl2O4峰

想问一下:(1)ZnAl2O4的光学带隙(禁带宽度Eg)是多少?
         
          (2)ZnAl2O4是否发光?如果发光,峰位在多少纳米处?
        
               ZnAl2O4使ZnO的发光更好还是不好?

如果有相关的文献请发给我,非常感谢!急用!
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

weiping3853(金币+5, 博学EPI+1):对我很有帮助 非常感谢! 2010-05-21 09:07:05
铝酸锌(ZnAl2O4)是一种具有立方尖晶石结构的宽禁带半导体材料. ZnAl2O4多晶粉末的光学带隙一般约为3.8~3.9 eV,化学稳定性和热稳定性都非常好。
娄志东,徐征,衣兰杰,杨盛谊.ZnAl2O4:Mn薄膜的阴极射线发光特性的研究.光谱学与光谱分析, 2008年 06期.

       发光波长:λ=1.24/Eg。       其中λ单位为μm(或1000nm);Eg单位为eV。楼主自己算一下吧。
       ZnAl2O4和ZnO(带隙3.37eV)带隙相差很大,如果ZnAl2O4在ZnO薄膜中发光,其波长也相差很大。但一般的激发,比如He-Cd激光器,其波长为325nm,对应3.81eV的能量,小于ZnAl2O4的带隙宽度,是激发不了ZnAl2O4发光的。

[ Last edited by qfw_68 on 2010-5-20 at 16:37 ]
没有困难创造困难也要上网。
2楼2010-05-20 16:25:09
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weiping3853

铜虫 (初入文坛)

非常感谢!对我太有帮助了

我做出的是100-500nm的线,不是薄膜。

还想问一下:(1)SEM-EDS能谱分析时,当Al 的原子百分比刚达到1.5左右时,XRD中就会出现ZnAl2O4相,觉得不太正常。看别人文献时达到Al 4 at%时仍然只有ZnO相,是不是TEM-EDS分析单根更好些?

(2)我PL测试用的就是He-Cd激光器,其波长为325nm,对应3.81eV的能量,而 ZnAl2O4的带隙约为3.8eV ,不是接近吗 激发不了ZnAl2O4发光吗?

(3)ZnAl2O4的Raman特征峰只有2个吗 420和660波数
3楼2010-05-21 09:05:43
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

weiping3853(金币+3):谢谢!非常感谢! 2010-05-21 09:41:00
(1)N元素用EDS分析很不准,不管是SEM还是TEM的EDS都作为一个半定量分析吧。很难说1.5%就一定是很准的;再说,具体问题具体分析。别人文献达到Al 4 at%时仍然只有ZnO相,也许是生长方法不同造成的,人家可能使用的是等离子体增强一类的非平衡生长工艺等(我猜测的)。
(2)325nm激光峰本身就有展宽, ZnAl2O4的带隙发光湮没在背景325nm激光峰里,你根本分不清。
(3)常见的Raman峰一般是E2(high)和A1(LO)。楼主可以检索文献,确定Raman峰的归属。如果材料质量不好,由于选择定则放宽,有可能会出现其他的Raman峰。另外Raman峰也与测试模式紧密相关。楼主多看看相关的文献吧。
没有困难创造困难也要上网。
4楼2010-05-21 09:20:48
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