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Slowey

铜虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】有做纳米线电性能研究的么? 已有3人参与

已知纳米线的I-V曲线,如何进一步分析其载流子浓度和迁移率等等?
谢谢
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yipinchun

金虫 (著名写手)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
I-V曲线不太够,要做FET才行。
信春哥,得永生
2楼2010-05-18 15:47:22
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Slowey

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
Originally posted by yipinchun at 2010-05-18 15:47:22:
I-V曲线不太够,要做FET才行。

我看过北大做纳米线的彭教授的几篇文章,他确实是有用纳米线制作FET来研究电性能。但是我还是不知道怎么使用origin分析迁移率和载流子浓度这类参数。
3楼2010-05-18 16:05:12
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maike

捐助贵宾 (著名写手)


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做一下Vds-Ids 在不同Vg条件下,再加上Is-Vg就好了,然后利用半导体基本知识去分析就行
4楼2010-05-18 16:46:15
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yipinchun

金虫 (著名写手)


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引用回帖:
Originally posted by maike at 2010-05-18 16:46:15:
做一下Vds-Ids 在不同Vg条件下,再加上Is-Vg就好了,然后利用半导体基本知识去分析就行

如上...

可以参照yangpeidong 早期的JPCB的一篇文章来分析
信春哥,得永生
5楼2010-05-18 18:51:49
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