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【求助】求助关于XPS单质硅的峰偏移问题 已有6人参与
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咨询一困惑很久的问题，求牛人解答! 先上图  如图所示，绿色的的线是单晶硅硅表面Si2p的XPS图，高的峰是单质硅，特征峰在99.0ev,低的峰为硅表面的一层SiO2氧化层，特征峰在103.3ev. 蓝色的线为通过二氧化硅球和单晶硅摩擦磨损后的磨屑XPS图，这时在98ev处出现一个很小的峰，按道理说这里应该也是出现单质硅的特征峰，但是这个峰明显偏小了，只有98ev。我查了XPS的数据库，在98ev附近都没有Si2p图谱中所对应的物质。 因此我想问一下，引起这个峰偏移的原因是什么？什么因素可能导致单质峰的偏移？谢谢牛人解答~~~~ |
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 SiO2制备|分离|改性 |
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3楼2010-05-18 09:22:50
2楼2010-05-17 17:40:29
yanghui_hust
木虫 (小有名气)
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