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【其他】三洋上市锂离子电池充放电保护电路用MOS FET——封装高度降低33％的BGA封装产 已有1人参与
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三洋上市锂离子电池充放电保护电路用MOS FET——封装高度降低33％的BGA封装产品 2010/04/28 00:00 打印 E-mail  面向新闻媒体的发布会。三洋半导体的吉村充弘（高端器件事业部小型器件开发部课长）介绍了此次的产品。摄影：Tech-On!。投影显示的是三洋半导体的数据。上部的大尺寸封装为EFC4615R，下部的小尺寸封装为EFC4612R。(点击放大)  此次产品的应用示例。蓝色虚线内的部分为此次的产品。数据由三洋半导体提供。(点击放大)  封装面积和高度的变化趋势。数据由三洋半导体提供。(点击放大)  改变焊锡球的形状。数据由三洋半导体提供。(点击放大)  在背面增加保护膜。数据由三洋半导体提供。(点击放大) 三洋半导体上市了可供手机锂离子电池组（1～2个电池单元）等使用的充放电保护电路用MOS FET新产品“EFC4612R/EFC4615R”。该产品在4个焊球的BGA封装上各封装了一个放电用和一个充电用FET。与该公司2年前推出的首款BGA封装产品（EFC4601R）相比，此次产品（EFC4612R）的封装面积减小了39％，封装高度降低了33％。 该公司在4月26日于东京面向新闻媒体举行的发布会上表示，此次的产品在功能及性能相同的BGA封装产品中为“业界最小最轻”（高端器件事业部小型器件开发部部长秋庭隆史）。虽然LGA封装有更小型的产品，但“从用户封装工时的角度看，不会轻易选择LGA。一般都会考虑选择BGA产品”（秋庭隆史）。 EFC4612R与EFC4615R相比，导通电阻和封装尺寸不同。EFC4612R在4.5V时的导通电阻RSSon为24/39/45（最小/平均/最大）mΩ，封装尺寸为1.26mm×1.26mm×0.37mm。EFC4615R的导通电阻为19/27/31（最小/平均/最大）mΩ，封装尺寸为1.46mm×1.46mm×0.37mm。2010年5月开始样品供货，样品价格方面，EFC4612R为100日元，EFC4615R为150日元。从2010年6月开始以3000万个/月（两型号合计）的规模实施量产。 半导体工艺和封装均采用新技术 此次产品的开发过程中，上游的半导体工艺和下游的封装工序均采用了新技术。前者采用了该公司最新的第五代沟道工艺。由此，与现有产品相比降低了导通电阻，并减小了封装面积。性能指标（标准化导通电阻）保持在71.5mΩ·mm2 后者的封装采用了两项扁平化技术。一是改变了焊锡球的形状。从原来的球状改为了半球状，高度降低了120μm。第二项是封装背面的保护膜技术。将Si部分的高度比原产品降低80μm，并为确保强度而在背面粘贴了20μm的保护膜。这减少了60μm的高度。两项技术加起来，此次将高度从已有的EFC4601R的550μm降低了33％至370μm。 该公司的实验表明，在粘贴保护膜之后，抗冲击性提高到了无保护膜时的2倍。另外，在板卡等上封装此次的产品时，不易发生破裂及缺损。而且，此次还在黑色树脂上配合使用了白色文字，与已有产品在金色封装上采用黑色文字相比，文字的视认性得以提高。（记者：小岛 郁太郎） ■日文原文 三洋がLiイオン電池の充放電保護回路用MOS FET，実装高を33％削減したBGA封止品を発売 |
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