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[交流]
【求助】关于atlas模拟光电器件问题 已有1人参与
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请问，利用atlas模拟光电探测器件，材料是III-V族的GaN材料，器件的I-V特性已仿到，当仿响应光谱曲线时，除了另外定义beam外，器件的截止波长是由材料库GaN的能隙来决定的吗，还需另外再定义别的参数吗？因为，仿照Si的例子，写得GaN的程序，得不到响应曲线。。。希望高手指点。。万分感谢！！ |
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