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We have found that AgBixSb1−xTe2 alloys exhibit D4 ordering of Ag vs （Bi,Sb） cations and are fully miscible down to the room temperature. Generally, Ag1−x−yBixSbyTe2 alloys are miscible if constrained to the rocksalt lattice. Without such a constraint, nonrocksalt phases become thermodynamically stable at all compositions at sufficiently low temperatures. The band structures of AgSbTe2 and AgBiTe2 share many similarities; in particular, in both compounds the dispersion around the VBM is reasonably approximated by Eq. (1). However, stronger spin-orbit coupling in Bi-containing materials changes some band-structure features by up to ~1 eV, in particular, leading to a different absorption edge for direct optical transitions and a second gap at * +1.3 eV seen in AgBiTe2 dispersion. The topology of the Fermi surface is sensitive to the hole doping. A detailed analysis of the experimental de Haas-van Alphen data based on the calculated band structure suggests the Fermi level in naturally doped samples is located around ** meV, not far from the value estimated in Ref. 20. |
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lxuyan
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墨香(金币+2, 翻译EPI+1):谢谢参与 2010-04-21 16:59
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我们发现，AgBixSb1 - xTe2合金显示了 银与其相对的铋，锑阳离子是处于一种四维的空间排序，并且这些合金粒子在室温的条件下就很容易互混在一起的。 一般来说，Ag1−x−yBixSbyTe2 合金的易于互混性是因为它们的岩盐矿格结构！ 如果没有这个矿格的制约 ，比如非岩盐相，它们在足够低的温度下的所有成分是具有热稳定性的。此外，AgSbTe2和AgBiTe2的能带结构也存在很多的相似之处；特别是，对于这两种物质的各成分的分散情况（VBM-垂直布里奇曼法）可以通过合理的模拟,如式子1所示。然而，强自旋轨道耦合的双载材料改变一些带结构特征达 〜1伏特，特别是导致了不同的吸收边发生了直接光变，而且也发现在第二能带（在*+1.3伏特）有AgBiTe2分散的情况。该费米表面的拓扑结构对孔洞的掺杂很敏感。我们同时也通过能带结构的计算来详细地阐述了如何通过实验来分析哈斯凡阿尔芬基础的数据。结果表明在费米能级自然掺杂位于**毫电子伏特左右，我们所得的数据与参考文献20的结果很相似！ [ Last edited by lxuyan on 2010-4-20 at 18:38 ] |
2楼2010-04-20 18:15:04
3楼2010-04-21 19:50:36
4楼2010-04-22 11:47:09
5楼2010-04-22 11:48:46
