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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙
晓dan(金币+10, 博学EPI+1):thanks!!:) 2010-04-19 10:23
晓dan(金币+5): 2010-04-19 11:08
建议楼主随便找一本“半导体物理”书看看即可。
硅是间接半导体的意思就是说硅是具有间接带隙的半导体，你给的前两句话完全是一个意思。
吸收边波长（单位μm）λ＝1.24/Eg。 Eg是禁带宽度；硅的带隙宽度Eg＝1.12eV。
对于间接带隙半导体，电子跃迁发光一般除电子、空穴以外，还需要声子的参与（以满足能量和动量守恒），因而发光效率很低，一般不能作为发光材料使用。
而直接带隙半导体的电子跃迁通常仅由电子、空穴参与即可，因而发光效率很高。
对于nm材料，由于量子尺寸的限制效应，材料的发光波长会变短，即出现蓝移效应。
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没有困难创造困难也要上网。
2楼2010-04-19 10:14:52
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