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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 【求助】VASP偶极校正
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uuv2010

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[交流] 【求助】VASP偶极校正已有3人参与

vasp中偶极校正如何设置？
是不是只要 DIPOL = center of cell
关于 center of cell是不是不管表面体系的中心在什么位置都可以设为 0.5 0.5 0.5
？？
多谢！
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1楼2010-04-07 14:03:23
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wangyujia

木虫 (正式写手)
★ ★
uuv2010(金币+1):谢谢参与
uuv2010(金币+3):谢谢 2010-04-18 20:54
xiaohunhun(金币+1):xiexie 2010-06-08 23:28:23
如果你算的是表面的话，只需要设IDIPOL=3就可以了，3的含义是在C轴方向上加偶极校正。
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2楼2010-04-18 11:52:10
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uuv2010

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引用回帖:
Originally posted by wangyujia at 2010-04-18 11:52:10:
如果你算的是表面的话，只需要设IDIPOL=3就可以了，3的含义是在C轴方向上加偶极校正。

对于电子掺杂的表面体系，需不需要考虑超晶胞之间的相互作用问题？也就是除了真空层方向的其他两个方向。 多谢!

偶极校正的原理是什么？
多谢多谢!
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3楼2010-06-08 17:18:02
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wgj501

木虫 (正式写手)
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19766393楼: Originally posted by wangyujia at 2010-04-18 11:52:10
如果你算的是表面的话，只需要设IDIPOL=3就可以了，3的含义是在C轴方向上加偶极校正。

我是初学者，有个问题想请教下，添加偶极的目的是中和表面的剩余电荷吗？如果只设置IDIPOL=3，那么偶极添加的位置在什么地方呢？如果表面上吸附了原子，也是像您说的这么设置吗？
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沉下去！！！！
4楼2013-04-02 20:38:20
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wangyujia

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19937400楼: Originally posted by wgj501 at 2013-04-02 20:38:20
我是初学者，有个问题想请教下，添加偶极的目的是中和表面的剩余电荷吗？如果只设置IDIPOL=3，那么偶极添加的位置在什么地方呢？如果表面上吸附了原子，也是像您说的这么设置吗？...

添加偶极的目的是用于计算slab上下表面不对称的情况。应该不是用来中和表面的剩余电荷的。
就我的理解，这个参数只是对这种极性表面的能量进行校正。DIPOL参数倒是可以设置偶极的位置，但我觉得也只是对能量进行校正。
表面吸附原子会改变原有slab的极化情况，但是应该不会完全消除极化。所以还是需要进行校正的。
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5楼2013-04-03 08:06:54
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wgj501

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引用回帖:
19937413楼: Originally posted by wangyujia at 2013-04-03 08:06:54
添加偶极的目的是用于计算slab上下表面不对称的情况。应该不是用来中和表面的剩余电荷的。
就我的理解，这个参数只是对这种极性表面的能量进行校正。DIPOL参数倒是可以设置偶极的位置，但我觉得也只是对能量进行校 ...

谢谢您的答复，那么要消除表面的剩余电荷如何操作呢？在VASP中如何设置呢？谢谢！
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沉下去！！！！
6楼2013-04-03 11:04:02
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wangyujia

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引用回帖:
19937420楼: Originally posted by wgj501 at 2013-04-03 11:04:02
谢谢您的答复，那么要消除表面的剩余电荷如何操作呢？在VASP中如何设置呢？谢谢！...

没做过这样的体系。不过你可以试试吸附一些原子，如H，Cl等。
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7楼2013-04-04 17:38:43
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