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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 【请教】金刚石薄膜改性的可行性
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xianfen.wa

[交流] 【请教】金刚石薄膜改性的可行性 已有4人参与

目的是在金刚石薄膜表面直接获得羧基-COOH

方案设想如下：

首先，hydrogen terminated diamond film 浸没在强酸H2SO4:HNO3中，
假设，表面的—CH3可以氧化为   O=C-H   

之后再将其浸没在NaOH溶液，
假设，可发生替代O=C-H   进而转化为  O=C-ONa+

最后再将其浸没在HCL溶液，
完成向-COOH的转变


求各路高手指点分析，
若有更好的直接改性方法，那最好不过了。
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1楼 2010-04-01 11:06:08
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zhangwj

荣誉版主 (职业作家)

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为什么要用湿化学的方法呢？
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2楼2010-04-01 11:17:19
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w273923564

至尊木虫 (著名写手)
你这个方法也可以了吧
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Toliveistofunction,thatisallthereisinliving
3楼2010-04-01 16:38:47
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xianfen.wa

谢谢，非也

引用回帖:
Originally posted by zhangwj at 2010-04-01 11:17:19:
为什么要用湿化学的方法呢？

这个方法，简单易行，要求的平台低啊。
实验室实在是简陋啊。

不是必须采用湿化学的方法，只是无奈罢了。

搂主有更好的法子？传教一下啊
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4楼2010-04-02 12:34:02
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xianfen.wa

有证据么？

引用回帖:
Originally posted by w273923564 at 2010-04-01 16:38:47:
你这个方法也可以了吧

高人是不是采用此法作过啊？
还是有熟悉的人也在摸索这个方面。

请进一步解释，
xps分析可以证明么？
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5楼2010-04-02 12:37:55
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xianfen.wa

XPS 峰位 偏移

版主曾经评价过：
就是 样品的导电性是会影响峰的位置的，导电性差的会向高能量偏。

我现在就面临这样的结果，
湿化学法氧化后的金刚石表面XPS测试，
C1s竟然移到311.2eV，相比于标准C1s 285.2eV，偏移了26eV. 而O1s 也从532.2eV移动到588.4eV，偏移56.2eV。

这样的峰怎么分析呢？
还可以进行分峰处理么？

我想要分析计算其中羧基的占有率
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6楼2010-04-05 11:54:56
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zhangwj

荣誉版主 (职业作家)

小木虫无限续航核潜艇
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carbon上面有一些文献你可以参考一下。
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7楼2010-04-05 12:32:37
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xianfen.wa

谢谢，我一直在阅读着

引用回帖:
Originally posted by zhangwj at 2010-04-05 12:32:37:
carbon上面有一些文献你可以参考一下。

请版主给个确切的文章，
因为至今没有谁报道C1s 会在311eV啊，
多有劳烦了，
感激不尽。
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8楼2010-04-05 13:03:49
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windyswust

木虫 (著名写手)
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311EV？那篇文献？不可能漂移那么多
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一步一个脚印
9楼2010-08-23 16:59:05
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windyswust

木虫 (著名写手)
★
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房主有没有 QQ 可以交流下，我正在忙这个方面的事
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一步一个脚印
10楼2010-08-23 17:00:17
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