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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 【求助】能带计算异常？
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dyk325

铁虫 (小有名气)

[交流] 【求助】能带计算异常？

刚学MS有点疑惑，望各位高手能指点指点！
1、我用castep计算的SiC能带图，直接导入算出的能带图是直接带隙，但是我把导入的晶胞Si和C原子换换位置，能带图又成间接带隙的了，SIC本来应该是间接带隙的半导体，不知原因为何?
2、我用B掺杂在SIC间隙中，结构优化后晶格常数和体积按原理说应该变大，但是我算出来的却是减小，困惑？
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1楼 2010-03-31 23:11:26
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dyk325

铁虫 (小有名气)
哪位高手指点一下，急啊，试验进行不下去了。期盼中
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2楼2010-04-01 09:08:55
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gavinliu7390

木虫 (著名写手)

叶落鹰飞
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
你应该先进行优化，再进行能带计算！
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真理是一点点接近的！
3楼2010-04-01 10:50:45
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hgye

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
gavinliu7390(金币+2):谢谢解答！ 2010-04-01 14:54
你导入的结构是不是/strucutre/semiconductor/SiC_beta ?
如果是，这是立方结构SiC，本来就应该是间接带隙。交换Si和C原子绝对不会对计算结果有影响，发生你所述问题的原因是: 直接导入的结构是一个 convential cell，用这个结构计算会把间接带隙算成直接带隙，主要是因为发生了能带折叠。替换后你可能用的是premitive cell进行的计算，这样就得到正常的结果，间接带隙。当你用convential cell提交任务的时候会提示你是否转化为premitive cell，选择是或否就导致上述问题的发生。
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4楼2010-04-01 13:05:58
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dyk325

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by hgye at 2010-04-01 13:05:58:
你导入的结构是不是/strucutre/semiconductor/SiC_beta ?
如果是，这是立方结构SiC，本来就应该是间接带隙。交换Si和C原子绝对不会对计算结果有影响，发生你所述问题的原因是: 直接导入的结构是一个 convential  ...

大侠你说得太对了，就是这样，直接导入的能带是直接带隙，Primitive cell   算出来的就是间接带隙，不知道这个怎么解决？谢谢啊
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5楼2010-04-01 21:28:54
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dyk325

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by gavinliu7390 at 2010-04-01 10:50:45:
你应该先进行优化，再进行能带计算！

我都是优化后再计算能带的
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6楼2010-04-01 21:30:06
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hgye

金虫 (小有名气)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
qli0218(金币+1):谢谢 2010-04-02 10:27
引用回帖:
Originally posted by dyk325 at 2010-04-01 21:28:54:



大侠你说得太对了，就是这样，直接导入的能带是直接带隙，Primitive cell   算出来的就是间接带隙，不知道这个怎么解决？谢谢啊

premitive cell 计算的是正确的，没有特殊需要时计算前应该把conventional cell转化到premitive cell。在build/symmetry/里边。
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7楼2010-04-02 10:14:20
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dyk325

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by hgye at 2010-04-02 10:14:20:

premitive cell 计算的是正确的，没有特殊需要时计算前应该把conventional cell转化到premitive cell。在build/symmetry/里边。

谢谢啊，不过老师意思是让用晶胞中含原子多点的，我就困惑在这，自己建的晶胞算出来也是直接带隙，希望大侠指点一下，看大晶胞怎么算就得到间接带隙。
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8楼2010-04-02 10:43:50
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