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【求助】能带计算异常？
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刚学MS有点疑惑，望各位高手能指点指点！ 1、我用castep计算的SiC能带图，直接导入算出的能带图是直接带隙，但是我把导入的晶胞Si和C原子换换位置，能带图又成间接带隙的了，SIC本来应该是间接带隙的半导体，不知原因为何? 2、我用B掺杂在SIC间隙中，结构优化后晶格常数和体积按原理说应该变大，但是我算出来的却是减小，困惑？ |
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2楼2010-04-01 09:08:55
gavinliu7390
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3楼2010-04-01 10:50:45
hgye
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小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
gavinliu7390(金币+2):谢谢解答！ 2010-04-01 14:54
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
gavinliu7390(金币+2):谢谢解答！ 2010-04-01 14:54
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你导入的结构是不是/strucutre/semiconductor/SiC_beta ? 如果是，这是立方结构SiC，本来就应该是间接带隙。交换Si和C原子绝对不会对计算结果有影响，发生你所述问题的原因是: 直接导入的结构是一个 convential cell，用这个结构计算会把间接带隙算成直接带隙，主要是因为发生了能带折叠。替换后你可能用的是premitive cell进行的计算，这样就得到正常的结果，间接带隙。当你用convential cell提交任务的时候会提示你是否转化为premitive cell，选择是或否就导致上述问题的发生。 |
4楼2010-04-01 13:05:58
5楼2010-04-01 21:28:54
6楼2010-04-01 21:30:06
hgye
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8楼2010-04-02 10:43:50