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sunqijun木虫 (正式写手)
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[交流]
【求助】anisotropic etching of silicon wafer
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请问对于silicon wafer 的各项异性刻蚀，主要是针对于什么样子的silicon wafer？ 一般都去哪里买呢？ 我知道SOI（silicon on insulator）可以被各向异性刻蚀，但是它的价格非常地昂贵， 如果说用一般性的silicon wafer（大概是50-60RMB/张）的那种，一般是用来作为提供具有非常平的表面的基板的， 这种只做普通基板的silicon wafer 可以各向异性刻蚀吗？ 还有我看有的文献里说silicon wafer 掺杂是什么意思？ 是卖家已经做好了掺杂？还是我们需要自己去做掺杂呢？ 掺杂的刻蚀了 掺杂物是怎么分布的？ 我想这些资料是不是有专门的参考资料可查询，如果有的话，希望广大虫友不吝指教！ 金币可以再加的 谢谢了！ |
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sunqijun(金币+10):3Q 2010-03-30 09:43
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来占沙发，为金币也为交流。呵呵！ 首先楼主指的是干法刻蚀还是湿法刻蚀？大部分的硅干法刻蚀是各向异性的，XeF2刻蚀是个例外常用来释放硅结构的（可参考MEMS里SCREAM 工艺，早期也有用SF6释放）；湿法各项异性腐蚀种类也很多：TMAH,KOH,EDP比较常用，这几种对重掺杂p++硅的腐蚀速率很慢，还有电化学腐蚀（光敏），对于HF系统的电化学腐蚀高掺杂硅容易被腐蚀。 你所说的SOI片子可以被各向异性刻蚀，不知你是想在substrate上还是active layer上进行，不过SOI这两部分都是单晶可以进行各项异性腐蚀。 硅片掺杂就是在硅片里通过扩散或注入或是在硅片拉单晶或外延生长时直接加入杂质，改变硅的导电性能。一般卖家会根据你的需求提供硅片，但是特殊要求的比如电阻率非常高或非常低的一般就不好找了，自己加工难度极大  .要是还要多层外延片，有时候不比soi片子便宜！“掺杂的刻蚀了 掺杂物是怎么分布的？”这句话很难理解，既然刻蚀了你对它的分布还有什么要求。当然扩散或是注入形成的分布主要有高斯分布和余误差分布两种，这会影响应力分布。所以为了获得均匀的掺杂硅层一般采用epi技术（较低温度，防止auto doping）。 专门资料，可以看看黄庆安老师的小黄书《硅微机械加工技术》。 |
2楼2010-03-28 22:10:57
sunqijun
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sunqijun
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