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一点通7658

金虫 (正式写手)

[交流] 【求助】为什么非本征半导体的电导率对温度的依赖性比本征半导体的电导率对温度的依赖 已有2人参与

请问：为什么非本征半导体的电导率对温度的依赖性比本征半导体的电导率对温度的依赖性小？当温度足够时，为什么非本征半导体的电导率与本征基材的电导率趋于一致？
  谢谢
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行稳致远
1楼 2010-03-27 12:41:16
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loveinmanutd

木虫 (著名写手)
★ ★ ★
一点通7658(金币+5):非常感谢 2010-03-28 09:47
zt970831(金币+3):感谢您的热心交流 2010-03-28 14:49
我觉得首先要弄清本证半导体与非本证半导体概念上的区别
前者是纯净的、无缺陷，其的载流子是由温度而激发出来的，其导电是载流子的运动所致，其导电性由载流子决定，这又取决于温度的高低，温度高则激发的载流子就多
而非本证半导体中的载流子既有由温度激发的，更多的是由材料参杂出现缺陷和空位而产生的，所以其对温度的依耐性小于本证半导体

回答可有不妥的地方，欢迎大家交流、补充
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2楼2010-03-27 19:04:59
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250895421

木虫 (正式写手)
★
一点通7658(金币+5):谢谢 2010-03-28 12:18
化学小工(金币+1):鼓励交流 2010-03-30 21:59
二楼的基本正确。不过非本征半导体在低温下或者在低于本征激发温度下非本征载流子远多于本征，所以电导率依然高，升温后本征激发，两者趋于一致
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3楼2010-03-28 10:19:55
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xin616

金虫 (小有名气)
★ ★ ★
zt970831(金币+3):感谢您的热心交流 2010-03-28 14:49
一点通7658(金币+5):谢谢 2010-03-28 16:53
电导率的大小主要依赖于载流子的数量，非本证半导体在低温下主要起作用的是掺杂而导致点缺陷的影响，而本证半导体的影响因素只有温度，不论在高低温都是如此，当温度足够时，对于非本证半导体，其温度影响因素和掺杂引起的载流子浓度变化达到极限，此时对于本证半导体也是如此。此时两者看不出有何区别了。
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爱你，无话可说。。
4楼2010-03-28 13:32:28
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senpeng

铜虫 (小有名气)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
半导体物理书上说的很明白啊。
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5楼2010-03-28 22:41:27
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lixxiang

铜虫 (小有名气)
★
化学小工(金币+1):鼓励交流 2010-04-07 21:58
本证的需要温度激发，掺杂的不需要激发，就这么简单
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6楼2010-04-07 13:55:22
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fandewei

木虫 (小有名气)
★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
化学小工(金币+1):鼓励交流 2010-04-07 21:58
非本征半导体的迁移率与掺杂的杂质浓度和温度是有关的，杂质浓度对载流子的迁移率产生很大的影响，当温度足够的时候，杂质已经全部电离，可以近似看成本征半导体，本征载流子浓度对电导贡献
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学海无涯
7楼2010-04-07 14:15:40
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