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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 其他交流 » 【求助】量子阱半导体中电子的跃迁问题
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jadejade

新虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】量子阱半导体中电子的跃迁问题

请问：如果是量子阱的半导体，一个是宽禁带的量子阱，旁边有一个窄禁带的量子阱，电子从高能级跃迁到窄带的量子阱中的低能级，是不是位子也移动了？就是说跃迁使电子从一个量子阱材料移到了另一个量子阱材料里了？跃迁和漂移有什么联系不？
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1楼 2010-03-24 16:42:30
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元小雪

木虫 (职业作家)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
电子不是你所理解的那样的宏观运动的
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无聊的博士
2楼2010-03-24 17:06:34
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月浅浅

木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
引用回帖:
Originally posted by jadejade at 2010-03-24 16:42:30:
请问：如果是量子阱的半导体，一个是宽禁带的量子阱，旁边有一个窄禁带的量子阱，电子从高能级跃迁到窄带的量子阱中的低能级，是不是位子也移动了？就是说跃迁使电子从一个量子阱材料移到了另一个量子阱材料里了？ ...

我觉得不管是宽禁带还是窄禁带材料中的价带或是导带中的电子都是一样的,至于它怎么跃迁，应该是有选择定则和两个能级间的能级差来决定的吧，我自己的理解，也不一定对
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3楼2010-03-24 21:34:52
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ljjbpp

木虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
这个问题实际上就属于 多量子阱  可以用多量子阱InGaN/GaN基LED(MQW)来实物理解。 随着LED里电子的注入， 电子被限制在阱区，从导带跳到价带复合发光，波的能量就是禁带宽度，如果伴随声子参与，就会导致能量漂移，进而波长移动。当然机理很多，不光这点，一般阱层都会受到应力，因此又会引入压电场等等 都会对电子的移动和复合产生重大影响。
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女人能讲讲道理多好！
4楼2010-03-24 22:23:42
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jadejade

新虫 (初入文坛)
对，是多量子阱的问题，我想知道的过程就是电子被限制在第一阱区，然后再被限制在能级更低的中间阱区的这一过程，是跃迁还是漂移，不是很懂，当然了，跃迁是量子过程，而漂移时经典的说法。但对与一个电子到底是用跃迁还是漂移
来解释这个过程，不是很清楚
引用回帖:
Originally posted by ljjbpp at 2010-03-24 22:23:42:
这个问题实际上就属于 多量子阱  可以用多量子阱InGaN/GaN基LED(MQW)来实物理解。 随着LED里电子的注入， 电子被限制在阱区，从导带跳到价带复合发光，波的能量就是禁带宽度，如果伴随声子参与，就会导致能量漂移 ...

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5楼2010-03-25 10:11:29
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