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qint

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】结合能binding energy 到底是高稳定还是低稳定?

我看了很多文献,里面对掺杂体系的结合能有两种说法,一种是结合能高,则掺杂体系稳定;另外一种则是结合能低,掺杂体系稳定。我已经糊涂了,请明白人讲解!

我的结果是下面的四组,请问到底哪种稳定?
-727.923852   a  未掺杂
-583.860431   b  掺杂1
-633.819948   c  掺杂2
-2987.01391   d  掺杂3
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acridine

木虫 (正式写手)

★ ★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
qli0218(金币+2):谢谢 2010-03-26 19:41
qasd(金币+2):谢谢 2010-03-26 23:03
首先说2和3是一个公式吧,而与1比只是除了个总原子数,所以都是一致的,只要在文章中使用同一公式就可以了。我的问题反而是楼主用这个公式计算结合能怎么是负数呢?你所列出的这几个公式的含义无非是:
“打散成孤立原子的总能量”-“结合成体材的总能量”
如果结果是负的,那么就表明:体材的总能量比孤立原子的总能量还高,这应该是不对的,估计在哪里出错了。
至于结合能和形成能,还是有一定差别的。而具体用哪一个量才能更准确的描述体系的稳定性,建议楼主最好仔细斟酌一番,有时候还要考虑实验条件之类的,比较复杂
25楼2010-03-26 19:32:44
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查看全部 29 个回答

qianzhongying

新虫 (小有名气)

★ ★
qint(金币+1):谢谢参与
ice_rain(金币+1):xiexie~ 2010-03-15 22:28
当然是高稳定喽 作用力强 所以更稳定
2楼2010-03-15 10:54:24
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qint

木虫 (正式写手)

能解释下下面的这个说法吗?为什么越负(越低)越稳定!?
从表1中的结合能看, Mg 掺杂的体系结合能较Zn 掺杂的低, 说明Mg 占据Al 位置形成的(MgAl)缺陷在AlN中较Zn 占据Al 位置形成的(ZnAl)缺陷更加稳定.

AlN  -228.393
AlN:Mg  -221.975
AlN:Zn  -220.726


引自:Mg、Zn 掺杂AlN 电子结构的第一性原理计算
3楼2010-03-15 11:01:39
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zhangfan2192

金虫 (著名写手)

★ ★
qint(金币+1):谢谢参与
ice_rain(金币+1):xiexie~ 2010-03-15 22:29
引用回帖:
Originally posted by qint at 2010-03-15 11:01:39:
能解释下下面的这个说法吗?为什么越负(越低)越稳定!?
从表1中的结合能看, Mg 掺杂的体系结合能较Zn 掺杂的低, 说明Mg 占据Al 位置形成的(MgAl)缺陷在AlN中较Zn 占据Al 位置形成的(ZnAl)缺陷更加稳定.

Al ...

你应该搞清楚 总能量跟结合能的区别
对于总能量来说 能量越低就越稳定
另外对于结合能有不同的定义公式  视公式而定
相逢是缘!
4楼2010-03-15 11:12:03
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