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【求助】单重激发态的高斯算法 已有12人参与
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| 我是辽师的一名研究生，现在做毕业论文，是化学系分子设计与模拟研究方向，遇到了难题。我现在需要用高斯03计算单重激发态，有TD、CIS方法不知道命令怎么写和加入什么关键词。我计算的目的是用单重激发态的能量和基态的能量差来计算发射光的波长（荧光），您能否给我举个例子并做简要说明。耽误您的宝贵的时间了，非常感谢！ |
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 荧光计算 | Gaussian模拟光谱 |
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aylayl08(金币+3):谢谢讨论交流 2010-04-03 08:29
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aylayl08(金币+3):谢谢讨论交流 2010-04-03 08:29
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结构优化要分很多步进行的，CIS每步完成之后都会给出类似于如下的信息： Excitation energies and oscillator strengths: Excited State 1: Singlet-A 3.0516 eV 406.29 nm f=1.4954 98 -> 99 0.67919 This state for optimization and/or second-order correction. Total Energy, E(CIS) = -1160.96073883 Copying the excited state density for this state as the 1-particle RhoCI density. Excited State 2: Singlet-A 4.3295 eV 286.37 nm f=0.0114 97 -> 99 0.62285 98 ->100 -0.18152 98 ->101 -0.15202 Excited State 3: Singlet-A 4.6602 eV 266.05 nm f=0.0027 83 -> 99 0.10992 86 -> 99 0.12295 91 -> 99 -0.30063 92 -> 99 -0.51437 The selected state is a singlet 第一步给出来的这个就是吸收谱，最后一步给出来的这个是荧光谱。 那两个命令都是对的，有些参数你不指定Gaussian会采取默认的参数，比如默认的nstates=3，root=1，算单重态，这个说明书上说的很清楚的。 [ Last edited by pwzhou on 2010-4-2 at 12:23 ] |
8楼2010-04-02 12:18:51
pwzhou
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yjcmwgk(金币+3): 2010-03-20 10:30
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yjcmwgk(金币+3): 2010-03-20 10:30
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这个自己看说明书上关于CIS和TD的说明吧。有一点可以告诉你，要算荧光必须优化激发态的结构，这个在Gaussian 03里面只有CIS可以做。用CIS算的话，两步就可以了，第一步，基态的优化与频率计算。第二步，激发态结构优化（以优化好的基态结构为初始构型），在激发态结构优化的第一个循环给出的激发能就是吸收谱，最后一步给出的激发能就是荧光谱。当然你可以用优化好的基态结构和激发态结构分别算一下TD，得到TD给出的吸收谱和荧光谱，因为TD还是比CIS要算的准的。 |
3楼2010-03-18 21:29:09
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4楼2010-03-19 00:08:27
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