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【讨论】P型半导体与金属接触之欧姆接触
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本虫要在P型半导体薄膜上做金属电极，要形成P型反阻挡层，即半导体表面形成一个高电导区域，要形成这样的接触必须是金属的功函数Wm>半导体的功函数Ws，由于功函数与费米能级Ef有关，而半导体的费米能级与掺杂有关，在此想请教如何确定某种半导体的的真实费米能级，实验手段还是理论计算？ 半导体上讲要实现欧姆接触，一般采用隧道效应原理，通过对材料进行重掺杂来实现小的接触电阻，从而实现欧姆接触，但是对于薄膜材料如何有效的控制掺杂的深度和浓度？各位虫子请指教！！不甚感激！！ 在物理版发过这样的消息，但是没得人提出建议，故在此提出，不知是否违反版规？见谅！ |
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