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liuhaifeng7758木虫 (正式写手)
金玉其中
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88币重金求高手帮助（一段半导体方面的中译英）
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88币重金求高手帮助翻译一段半导体方面的中译英，需要专业的，如果利用翻译机器或者网页直译的话，请勿扰，谢谢！（如质量高，小弟当再加金币感谢） 内容如下： 由于Ni2+的价电子比Fe3+少，当Ni2+杂质进入配位体中代替Fe3+后，可以看作是产生一个+1价的空位，并束缚了空穴。在Fe2O3晶体中，Ni受主杂质的电离过程可以在能带图中表示出来（图7）。其中，把被Ni受主杂质所束缚空穴的能量状态称为受主能级（一般为孤立能级），记为EA；EV和EC分别为价带顶和导带底的能量。在Fe2O3的能带图中，Ni受主能级用离价带顶EV为ΔEA（EA和EV的能量差）处的短线段表示，每一个短线段对应一个Ni或Cu受主杂质原子。在Ni受主能级EA上的○表示被受主杂质束缚的空穴；■表示价带电子与受主能级空穴复合后的受主离子。在价带中的○表示进入价带的空穴，●表示价带中的电子。而在能带图上表示空穴的能量是越向下越高（正好与电子相反），所以空穴被Ni受主杂质束缚时的能量EA比价带顶EV低。当空穴得到能量后便从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴。当然，Ni受主电离过程实际上是电子的运动，是Fe2O3价带中的电子得到能量后，跃迁到Ni受主能级上，与束缚在Ni受主能级上的空穴复合，并在价带中产生了一个可以自由运动的导电空穴，同时也就在Ni受主能级上形成一个不可移动的受主离子[10]。因此，当Fe2O3半导体中掺入Ni受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了Fe2O3半导体的导电能力。另外，根据半导体理论，p型半导体Fe2O3的导电率与空穴载流子的浓度成正比。因此，(Fe2-x,Ni1.5x)O3中Ni受主杂质的增加显然会增大空穴载流子的浓度；即在同一温度下，元件电阻随Ni掺杂浓度的增大而减小。 |
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2楼2010-03-07 11:28:48
liuhaifeng7758
木虫 (正式写手)
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3楼2010-03-07 11:45:34
liuhaifeng7758(金币+88):版主的翻译，已经可以满足我的要求了，真心感谢你！ 2010-03-07 17:39
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由于Ni2+的价电子比Fe3+少，当Ni2+杂质进入配位体中代替Fe3+后，可以看作是产生一个+1价的空位，并束缚了空穴。 As the number of valence electrons in Ni2+ is lower than that in Fe3+, it can be considered that one hole of +1 valence is produced and the vacancies are constrained when Ni2+ impurities are introduced into the ligand and replace the Fe3+ ion. 在Fe2O3晶体中，Ni受主杂质的电离过程可以在能带图中表示出来（图7）。其中，把被Ni受主杂质所束缚空穴的能量状态称为受主能级（一般为孤立能级），记为EA；EV和EC分别为价带顶和导带底的能量。 In Fe2O3 crystals, the ionization process of the acceptor Ni impurities can be shown in the energy band figure (figure 7). In figure 7, the energy state of the vacancies constrained by Ni acceptor impurities is titled as acceptor energy level (usually isolated energy level) and marked as EA; EV and Ec are the energy at the top of valence band and the energy at the bottom of conduction band. 在Fe2O3的能带图中，Ni受主能级用离价带顶EV为ΔEA（EA和EV的能量差）处的短线段表示，每一个短线段对应一个Ni或Cu受主杂质原子。 In the energy band diagram of Fe2O3, the acceptor energy level of Ni is represented by a short line segment where the energy is ΔEA deviating from the valence band edge EA (energy difference between EA and EV). Each short line segment corresponds to a Ni or Cu acceptor impurity atom. 在Ni受主能级EA上的○表示被受主杂质束缚的空穴；■表示价带电子与受主能级空穴复合后的受主离子。在价带中的○表示进入价带的空穴，●表示价带中的电子。 The sign ○ at the Ni acceptor energy level indicates the hole constrained by acceptor impurites; The sign ■ indicates the acceptor ion resulted from the recombination of valence band electron and acceptor energy level hole., The sign ○ in the valence band indicates the hole that enter into the valence band and ● indicates the electron in the valence band. 而在能带图上表示空穴的能量是越向下越高（正好与电子相反），所以空穴被Ni受主杂质束缚时的能量EA比价带顶EV低。 In the energy band diagram, the energy of the hole is getting higher downwards (exactly opposite to that of the electron), so the energy EA of the hole constrained by acceptor impurities Ni is lower than that of the valence band edge EV. 先弄到这里，我吃饭了，下午接着弄。 |
4楼2010-03-07 12:15:49
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当空穴得到能量后便从受主的束缚态跃迁到价带成为导电空穴。 The holes jump from the bound state of acceptor into the valence band when having energies and become conductive holes. 当然，Ni受主电离过程实际上是电子的运动，是Fe2O3价带中的电子得到能量后，跃迁到Ni受主能级上，与束缚在Ni受主能级上的空穴复合，并在价带中产生了一个可以自由运动的导电空穴，同时也就在Ni受主能级上形成一个不可移动的受主离子[10]。 Surely, the acceptor ionization process of Ni is actually the movement of electrons. The electrons in the valence band of Fe2O3, when receiving energies, jump into the acceptor energy level of Ni and recombine with the bound holes at the acceptor energy band of Ni and produce a free conductive hole. Meanwhile, a fixed acceptor ion is produced at the Ni acceptor energy band. 因此，当Fe2O3半导体中掺入Ni受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了Fe2O3半导体的导电能力。 Therefore, when Fe2O3 semiconductor doped with acceptor impurities of Ni, the acceptor impurities ionize and lead to the increase of conductive holes in the valence band and hence enhance the conduction capability of Fe2O3 semiconductor. 另外，根据半导体理论，p型半导体Fe2O3的导电率与空穴载流子的浓度成正比。因此，(Fe2-x,Ni1.5x)O3中Ni受主杂质的增加显然会增大空穴载流子的浓度；即在同一温度下，元件电阻随Ni掺杂浓度的增大而减小。 Additionally, according to the semi-conduction theory, the conductivity of p-type semiconductor Fe2O3 is proportional to the concentration of hole carriers. So, the increase of Ni acceptor impurities in (Fe2-x,Ni1.5x)O3 could apparently increases the concentration of hole carriers. That is, at the same temperature, the resistance of component decreases with the increase in the doping concentration of Ni addition. |
5楼2010-03-07 12:58:32
6楼2010-03-07 13:00:04
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