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real8188

金虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】求助，能带宽度的变化和吸收边移动方向不一致的问题

计算了一种氧化物半导体的能带结构，得出能带宽度，并且计算了光学吸收边。后在氧化物半导体中掺入一种元素，同样计算能带结构等，发现能带宽度变小，根据理论推测吸收边应发生红移，但实际计算结果是蓝移，不名原因，请教大侠们指点一下，谢谢了。

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牵着手，一直走！

1楼2010-01-29 14:06:38

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qgqgrm

木虫 (小有名气)

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专业: 无机非金属类光电信息与功

★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
aylayl08(金币+2):谢谢提示 2010-03-18 19:29

引用回帖:

Originally posted by real8188 at 2010-01-30 12:58:54:

实验上有人做了，是蓝移现象。我计算的掺杂浓度是2.08 at%，比实验上的可能稍微浓度低点，也有实验报道低浓度掺杂的。掺杂后带宽确定是变小的，主要是导带向低能级方向移动了，态密度的分析是由于掺杂元素的 ...

有可能是SM shift（翻译过来好像叫做斯托克-莫斯位移）造成的。体系中电子密度增大，使得试验中的费米能级超过价带底，因此实验会产生蓝移。可以搜索相关文献。
另外，你计算出的掺杂浓度是2.08 at%，请问这一数值是如何得出的？