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panjinping金虫 (正式写手)
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由于本人金币不是很多。不知道80个够不够。望见谅！！！！ 图5是从图4的循环伏安曲线得到的各样品的电势窗口和析氧电位大小与退火温度的关系．从图中可以看出，在酸性介质中BDND电极的电势窗口和析氧电位随退火温度的变化规律相同．从未退火到600℃退火，金刚石膜电极的电势窗口增宽，析氧电位增大；结合Raman谱的分析结果，如图4，ID/IG值增大，G峰右移。当薄膜在800℃退火后，金刚石膜电极的电势窗口和析氧电位增至最大，分别为3.28V和2.32V；此时ID/IG值最小，G峰左移。当退火温度升高到1000℃时，电势窗口变为最窄，析氧电位变为最低，分别为2.42V和1.74V；该薄膜的Raman谱图中D峰较强，峰较尖锐，ID/IG值从最小变为最大，G峰移至最右。1150℃退火后，电势窗口和析氧电位又都变大，而此时ID/IG值又变小，G峰又左移。可以看出，除了未退火和600℃退火两种情况外，在其他温度退火的薄膜的电势窗口和析氧电位与ID/IG值和G峰峰位随退火温度的变化规律相反。说明sp2相团簇的数量减少或尺寸变小、石墨相无序化程度的增加有利于增大金刚石膜电极的电势窗口和析氧电位。对于600℃退火试样，薄膜的晶界上聚集的大量的反式聚乙炔是导致电势窗口和析氧电位没有减小的原因。除了1000℃，其它温度退火后的电极的电势窗口和析氧电位都比未退火电极的要大，分别大于3V和2V，而一般有机物的氧化电位为1.5V︿2.0V之间，因此从理论上来说，大多数有机污染物都能在电极上被氧化。我们以前的研究结果表明，金刚石薄膜中硼浓度增大会使膜电极的电势窗口和析氧电位减小；因此1000℃退火电极的窄电势窗口和低析氧电位除了由于sp2相团簇的数量增加或尺寸变大以及石墨相有序化程度增加的影响外，还由于高温退火引起硼的扩散进入纳米金刚石晶粒中的影响，这与能谱显示金刚石晶粒中硼的大量存在相一致。 |
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2楼2010-01-25 15:39:16
panjinping
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3楼2010-01-25 15:42:51
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4楼2010-01-26 11:25:38
panjinping
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5楼2010-01-29 14:05:24
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panjinping(金币+20):过了个年回来一看，居然翻译好了。虽然我自己已经翻译好了。但是这个金币还给你。鉴于语句平平，赠送60金 2010-03-02 11:02
zap65535(金币+20): 2010-03-03 10:21
panjinping(金币+20):过了个年回来一看，居然翻译好了。虽然我自己已经翻译好了。但是这个金币还给你。鉴于语句平平，赠送60金 2010-03-02 11:02
zap65535(金币+20): 2010-03-03 10:21
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图5是从图4的循环伏安曲线得到的各样品的电势窗口和析氧电位大小与退火温度的关系．从图中可以看出，在酸性介质中BDND电极的电势窗口和析氧电位随退火温度的变化规律相同．从未退火到600℃退火，金刚石膜电极的电势窗口增宽，析氧电位增大；结合Raman谱的分析结果，如图4，ID/IG值增大，G峰右移。当薄膜在800℃退火后，金刚石膜电极的电势窗口和析氧电位增至最大，分别为3.28V和2.32V；此时ID/IG值最小，G峰左移。当退火温度升高到1000℃时，电势窗口变为最窄，析氧电位变为最低，分别为2.42V和1.74V；该薄膜的Raman谱图中D峰较强，峰较尖锐，ID/IG值从最小变为最大，G峰移至最右。 From the circular voltage curve in fig.4 , Fig.5 is the values of the potential windows and the divided oxygen potential of every sample for different annealing temperature.As shown in Fig.5, potential windows and the divided oxygen potential of the BDND electrode have the same change regular with annealing temperature in the acid medium. From non-annealing to annealing at 600 ℃, the potential windows of diamond film become wider and the divided oxygen potential larger.Combining with the analyzing results of Raman spectrum,see Fig.4,the value of ID/IGis larger and G peak shifts to right.When the thin film was annealed at 800 ℃, value of the potential window and divided oxygen potential of diamond film are up to the largest,3.28Vand 2.32V,respectively;At this time ,value of ID/IG is the smallest and G peak shifts to left.When the annealing temperature was rised to 1000℃,the potential window and divided oxygen potential becomes to narrowest and lowest,2.42V and 1.74V,respectively.In the Raman spectrum of the film,D peak is strong and sharp,at same time ID/IG value becomes to largest from smallest and G peak goes to last right. |
6楼2010-02-02 12:06:57
clearsky7228
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panjinping(金币+20): 2010-03-02 11:02
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1150℃退火后，电势窗口和析氧电位又都变大，而此时ID/IG值又变小，G峰又左移。可以看出，除了未退火和600℃退火两种情况外，在其他温度退火的薄膜的电势窗口和析氧电位与ID/IG值和G峰峰位随退火温度的变化规律相反。说明sp2相团簇的数量减少或尺寸变小、石墨相无序化程度的增加有利于增大金刚石膜电极的电势窗口和析氧电位。 After annealing at 1150℃,the potential window and divided oxygen potential become larger again while the value of ID/IG smaller and G peak shifts left. One can see that ,except for non-annealing and annealing at 600 ℃,the change regular of the potential window and divided oxygen potential for the film annealed at other temperatures to the value of ID/IG and the positions of G peak is opposite with the change of annealing temperature.This indicates that samller number or size of sp2 phase cluster and the increase of the graphite phase disorder degree are in favor of increasing potential window and divided oxygen potential of diamond film electrode.对于600℃退火试样，薄膜的晶界上聚集的大量的反式聚乙炔是导致电势窗口和析氧电位没有减小的原因。除了1000℃，其它温度退火后的电极的电势窗口和析氧电位都比未退火电极的要大，分别大于3V和2V，而一般有机物的氧化电位为1.5V︿2.0V之间，因此从理论上来说，大多数有机污染物都能在电极上被氧化。To the sample annealed at 600℃, lots of trans-polyacetylene gathered in the grain boundaries of thin film is the reason of potential window and divided oxygen potential without lower.Except for 1000 ℃,potential windows and divided oxygen potentials of the electrode annealed at the other temperature are larger than that of non-annealing,and larger than 3V and 2V, respectively.While oxygen potential of general organic matter are between 1.5V︿2.0V, thus from the theory, most of the organic pollution can be oxidized on the electrode. |
7楼2010-02-02 12:53:06
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panjinping(金币+20): 2010-03-02 11:02
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我们以前的研究结果表明，金刚石薄膜中硼浓度增大会使膜电极的电势窗口和析氧电位减小；因此1000℃退火电极的窄电势窗口和低析氧电位除了由于sp2相团簇的数量增加或尺寸变大以及石墨相有序化程度增加的影响外，还由于高温退火引起硼的扩散进入纳米金刚石晶粒中的影响，这与能谱显示金刚石晶粒中硼的大量存在相一致。 The results of our precursor study indicate that the increase of B concentration in diamond thin film can lead to the decease of potential window and divided oxygen potential ;Therefore,to the narrow potential window and low divided oxygen potential of the electrode annealed at 1000℃,besides the influence from increase of sp2 phase cluster number , size and graphite phase order degree ,the diffuse and enter nanodiamond grain of B resulting from high temperature annealing is another reason. It agrees with that lots of B exist in diamond grains shown in spectrum. |
8楼2010-02-02 13:07:54
panjinping
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