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dyingfish8158

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】二氧化硅的熔点和烧结温度

各位大虾,我看到一篇文献写纳米二氧化硅小球在900度下可以烧结,从而连成三维结构,我查了一下,气相二氧化硅的熔点是1700多度,它可以在这么低的温度下烧结吗?很是不解。
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20012655

铜虫 (初入文坛)


小木虫(金币+0.5):给个红包,谢谢回帖交流
900度没错,事实上超过650度就会有变化,试验结论
9楼2010-01-16 08:18:17
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napt

木虫 (正式写手)

★ ★
dyingfish8158(金币+1):谢谢参与
zeng1986kai(金币+1,VIP+0):谢谢应助! 1-11 10:33
熔点1750度,嗯
要是900度烧结的话,肯定不是常压条件了
闹太套
2楼2009-12-30 08:44:40
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tiancanna

木虫 (正式写手)

★ ★
dyingfish8158(金币+1):谢谢参与
zeng1986kai(金币+1,VIP+0):谢谢应助! 1-11 10:33
熔点1710度左右,scifinder上检索到的
3楼2009-12-30 11:06:25
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aylizheng

木虫 (正式写手)

萤火虫

★ ★ ★
dyingfish8158(金币+1):谢谢参与
dyingfish8158(金币+2,VIP+0): 1-9 12:00
熔点和烧结温度不是一个概念.通常熔点不涉及粒度问题,但是当固体的颗粒比较小小时,熔点就会降低.SiO2 的烧结是指SiO2可以表面熔化,因此这个温度是考虑的表面效应的熔点.当SiO2的颗粒很小时,熔点变低.成型后烧结的温度也会变低.另外还有一种叫做前驱体烧结法的,首先生成一种纳米数量级的前驱体,加热时分解或者发生相转变,也会导致烧结温度降低.还有混合烧结,玻璃态材料烧结时连熔点都不涉及.
4楼2010-01-08 09:38:21
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