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ljjbpp木虫 (正式写手)
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[交流]
【交流】InGaAlN薄膜或者其它半导体薄膜中的应力,能带,电场之间的关系
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各位兄弟,多量子阱发光器件越来越热,因为阱区与垒区存在的应力不同,外加场也不同,特别对于InGaAlN又存在自发极化和压电极化等使带隙有变化,器件在外加电压下,又存在内建电场,极化场,外加场等等,因此,兄弟相和大家讨论下,这些极化效应,电场,应力等等对发光波长即能量的影响 顺便问下,能带填充效应怎么理解! |
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