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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 【交流】InGaAlN薄膜或者其它半导体薄膜中的应力，能带，电场之间的关系
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ljjbpp

木虫 (正式写手)

[交流] 【交流】InGaAlN薄膜或者其它半导体薄膜中的应力，能带，电场之间的关系

各位兄弟，多量子阱发光器件越来越热，因为阱区与垒区存在的应力不同，外加场也不同，特别对于InGaAlN又存在自发极化和压电极化等使带隙有变化，器件在外加电压下，又存在内建电场，极化场，外加场等等，因此，兄弟相和大家讨论下，这些极化效应，电场，应力等等对发光波长即能量的影响

顺便问下，能带填充效应怎么理解！
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女人能讲讲道理多好！
1楼 2009-11-27 11:01:52
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斑点猫

木虫 (正式写手)
★ ★ ★ ★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
小木虫:)(金币+3,VIP+0):3q 11-27 21:56
多量子阱发光器件，晶格（超）结构影响能带结构。
外场的作用是极化和电荷迁移，影响量子级联的状况，最终影响增益状况和谱带。
应力影响晶格结构，进而影响能带，当然也是调整谱带的。
能带填充效应是指极化的结果吗？如果是，其本质就是极化影响了电荷分布，进而影响不同电位下的能带填充状况！
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2楼2009-11-27 11:31:25
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zjciomp7973

金虫 (正式写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
太复杂了吧
楼主是做外延的吗？我觉得应该从简单的做起，不要一上来就是多量子阱 又考虑应力，能带，电场……
何不从简单的单一变量研究出发呢？  只知道定性的影响，不知道各因素的影响大小和作用条件 对器件没用的。
个人观点哈
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高功率半导体激光器
3楼2009-12-10 22:26:44
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ljjbpp

木虫 (正式写手)
谢谢楼上二位！本来就是很复杂的！头晕！
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女人能讲讲道理多好！
4楼2009-12-11 08:08:42
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