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ljjbpp木虫 (正式写手)
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[交流]
【交流】InGaAlN薄膜或者其它半导体薄膜中的应力，能带，电场之间的关系
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各位兄弟，多量子阱发光器件越来越热，因为阱区与垒区存在的应力不同，外加场也不同，特别对于InGaAlN又存在自发极化和压电极化等使带隙有变化，器件在外加电压下，又存在内建电场，极化场，外加场等等，因此，兄弟相和大家讨论下，这些极化效应，电场，应力等等对发光波长即能量的影响 顺便问下，能带填充效应怎么理解！ |
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