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【求助】p型硅中阻挡层与反阻挡层的形成的解释
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初学半导体物理，有很多问题不懂，向各位大虫讨教一下： n型硅：金属-n型半导体接触时，若金属功函数Wm>半导体功函数Ws，则金属的费米 能级小于半导体的费米能级，电子从半导体流向金属，在半导体的表面形成正的空间电荷区，使电场方向由体内指向表面，表面师Vs<0，使半导体表面电子能量高于体内，能带向上弯曲，形成表面势垒，势垒区中电子浓度比体内小得多，因此是高阻区域，称为阻挡层。 这里是以n型硅为例分析的，n型硅中的 载流子是电子，能带的弯曲是以电子标准来衡量的，但p型硅中 的载流子是空穴，该怎么分析呢？还是通过费米能级的不同，根据电子的运动还是空穴的流动来比较呢？能带的变化是用电子还是空穴来说明呢？ 真的很困惑，恳请高人指教！ |
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